| AGM206D | AGM-SEMI Semiconductor Technology Co., Ltd | N沟道 20V 85A 72W(Tc)3.5mΩ | | | 获取价格 |
| AGP2401 | AGM-SEMI Semiconductor Technology Co., Ltd | 温湿度传感器 TO46 0.1mA 0.06% | | | 获取价格 |
| AGM402D | AGM-SEMI Semiconductor Technology Co., Ltd | MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=120A RDS(ON)=3.1mΩ@4.5V TO252 | | | 获取价格 |
| AGM30P55D1 | AGM-SEMI Semiconductor Technology Co., Ltd | MOS管 P-Channel VDS=-30V VGS=±20V ID=-65A RDS(ON)=10mΩ@-4.5V TO252 | | | 获取价格 |
| AGM306AP | AGM-SEMI Semiconductor Technology Co., Ltd | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=46A RDS(ON)=9.5mΩ@4.5V DFN3.3X3.3-8 | | | 获取价格 |
| AGM310A | AGM-SEMI Semiconductor Technology Co., Ltd | 场效应管(MOSFET) 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：28A 功率(Pd)：40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9.7mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：16nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.85nF@15V ,Vds=30V Id=28A Rds=9.7mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6 ； | | | 获取价格 |
