NCP81155MNTXG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 驱动配置:半桥;负载类型:MOSFET;电源电压:4.5V~13.2V;峰值灌电流:-; | | | 获取价格 |
NCP43080DMTTWG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 电源电压:35V; | | | 获取价格 |
TL431BVLPRAG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 电压基准类型:并联;输出类型:可调;输入电压:-;输出电流:100mA;精度:±0.4%;温度系数:50ppm/℃;静态电流:-;噪声(0.1Hz-10Hz):-;噪声(10Hz-10kHz):-;工作温度:-40℃~+125℃@(Ta); | | | 获取价格 |
SBCP53T1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1.5W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@150mA,2V; | | | 获取价格 |
LP2950CZ-5.0RAG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:30V;输出电压:5V;输出电流:100mA;电源纹波抑制比(PSRR):-; | | | 获取价格 |
1N5953BRLG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):150V;稳压值(范围):142.5V~157.5V;精度:±5%;功率:1W; | | | 获取价格 |
1N4007G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):930mV@1A;反向电流(Ir):50nA@1kV; | | | 获取价格 |
1N5919BRLG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):5.6V;稳压值(范围):5.32V~5.88V;精度:±5%;功率:1W;反向电流(Ir):5uA@3V;阻抗(Zzt):2Ω; | | | 获取价格 |
1N5819G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):600mV@1A; | | | 获取价格 |
KSC2383YTA | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):900mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.5V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@500mA,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
LM385Z-1.2G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 电压基准类型:并联;输出类型:固定;输入电压:-;输出电压:1.235V;输出电流:20mA;精度:-2.4%~+2.01%;温度系数:80ppm/℃;静态电流:-;最小阴极电流调节:20uA;噪声(0.1Hz-10Hz):-;噪声(10Hz-10kHz):60uVrms;工作温度:0℃~+70℃@(Ta); | | | 获取价格 |
MC79L05ACPG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输出类型:固定;输出极性:负;最大输入电压:30V;输出电压:5V;输出电流:100mA;电源纹波抑制比(PSRR):49dB@(120Hz); | | | 获取价格 |
MC78LC30NTRG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:12V;输出电压:3V;输出电流:80mA;电源纹波抑制比(PSRR):-; | | | 获取价格 |
MJE15030G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):150V;集电极电流(Ic):8A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@4A,2V;特征频率(fT):30MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
TIP41CG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):6A;功率(Pd):65W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@3A,4V; | | | 获取价格 |
MJE15032G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):250V;集电极电流(Ic):8A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):10@2A,5V;特征频率(fT):30MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
MJF44H11G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):10A;功率(Pd):36W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@4A,1V; | | | 获取价格 |
D44VH10G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):15A;功率(Pd):83W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@4A,1V; | | | 获取价格 |
FDP7N60NZ | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):6.5A;功率(Pd):147W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.25Ω@10V,3.25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA; | | | 获取价格 |
HUF75321P3 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):35A;功率(Pd):93W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):34mΩ@10V,35A; | | | 获取价格 |