| BC817-25,235 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V; | | | 获取价格 |
| BC817K-16VL | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):350mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V; | | | 获取价格 |
| PMV27UPEAR | Rubycon Corporation | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):4.5A;功率(Pd):490mW；4.15W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):32mΩ@4.5A,4.5V; | | | 获取价格 |
| BC807-25,235 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V; | | | 获取价格 |
| BCX70G,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@2mA,5V; | | | 获取价格 |
| PMBTA42,185 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@30mA,10V; | | | 获取价格 |
| BC807-16,235 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V; | | | 获取价格 |
| BC807-40,235 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V; | | | 获取价格 |
| BC817DPN,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个NPN和1个PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):600mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V;特征频率(fT):100MHz；80MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| PMN30UNEX | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):4.8A;功率(Pd):530mW；4.46W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@4.8A,4.5V; | | | 获取价格 |
| PMN40ENAX | Rubycon Corporation | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| PMN42XPEAX | Rubycon Corporation | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):5.7A;功率(Pd):500mW；8.33W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):46mΩ@3A,4.5V; | | | 获取价格 |
| PBSS4160DPN,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个NPN,1个PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):560mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):115mV@500mA,50mA；120mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@1A,5V；160@1A,5V;特征频率(fT):220MHz；185MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BAT46X | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):150mA;正向压降(Vf):1V@250mA;反向电流(Ir):2uA@75V; | | | 获取价格 |
| 74LVC244APW,118 | Rubycon Corporation | 类型:缓冲器，非反相;电源电压:1.2V~3.6V;输入类型:-;输出类型:三态;低电平输出电流(IOL):24mA;高电平输出电流(IOH):24mA;工作温度:-40℃~+125℃; | | | 获取价格 |
| BAS716,115 | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):85V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1.02V@150mA;反向电流(Ir):300pA@100V; | | | 获取价格 |
| BZX584C11 | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):11V;稳压值(范围):10.4V~11.6V;精度:-;功率:150mW;反向电流(Ir):100nA@8V;阻抗(Zzt):20Ω; | | | 获取价格 |
| RB521S-40 | Rubycon Corporation | 直流反向耐压(Vr):28V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):540mV@200mA; | | | 获取价格 |
| PMEG2010AEB,115 | Rubycon Corporation | 直流反向耐压(Vr):20V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):620mV@1A; | | | 获取价格 |
| 1SS400 | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;功率:150mW;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):1.2V@100mA;反向电流(Ir):100nA@80V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
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