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FF6MR12KM1PHOSA1

FF6MR12KM1PHOSA1

  • 厂商:

    EUPEC(英飞凌)

  • 封装:

    模块

  • 描述:

    MEDIUM POWER 62MM

  • 数据手册
  • 价格&库存
FF6MR12KM1PHOSA1 数据手册
FF6MR12KM1P 62mmC-SerienModulmitCoolSiC™TrenchMOSFETundbereitsaufgetragenemThermalInterface Material 62mmC-SeriesmodulewithCoolSiC™TrenchMOSFETandpre-appliedThermalInterfaceMaterial VorläufigeDaten/PreliminaryData VDSS = 1200V ID nom = 250A / IDRM = 500A PotentielleAnwendungen • AnwendungenmithohenSchaltfrequenzen • DC/DCWandler • SolarAnwendungen • USV-Systeme PotentialApplications • HighFrequencySwitchingapplication • DC/DCconverter • Solarapplications • UPSsystems ElektrischeEigenschaften • HoheStromdichte • NiedrigeSchaltverluste ElectricalFeatures • Highcurrentdensity • Lowswitchinglosses MechanischeEigenschaften • Thermisches Interface Material bereits aufgetragen MechanicalFeatures • Pre-appliedThermalInterfaceMaterial ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V2.0 2020-05-20 FF6MR12KM1P VorläufigeDaten PreliminaryData MOSFET/MOSFET HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Drain-Source-Spannung Drain-sourcevoltage Drain-Gleichstrom DCdraincurrent GepulsterDrainstrom Pulseddraincurrent Gate-SourceSpannung Gate-sourcevoltage Tvj = 175°C, VGS = 15 V Tvj = 25°C VDSS  1200  V TH = 30°C ID nom  250  A ID pulse  500  A -10 / 20  V verifiziertdurchDesign,tplimitiertdurchTvjmax verifiedbydesign,tplimitedbyTvjmax VGSS  CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Einschaltwiderstand Drain-sourceonresistance ID = 250 A VGS = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage GesamtGateladung Totalgatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Ausgangskapazität Outputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance COSSSpeicherenergie COSSstoredenergy Drain-Source-Reststrom Zerogatevoltagedraincurrent Gate-Source-Reststrom Gate-sourceleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turnondelaytime,inductiveload ID=80,0mA,VDS=VGS,Tvj=25°C (testedafter1mspulseatVGS=+20V) Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turnoffdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C RDS on VGS(th) 3,45 typ. 5,81 7,56 8,50 max. 4,50 5,15 mΩ V VGS = -5 V / 15 V, VDS = 800 V QG 0,496 µC Tvj = 25°C RGint 1,0 Ω Ciss 14,7 nF Coss 0,88 nF Crss 0,112 nF Eoss 352 µJ IDSS 0,80 f = 1 MHz, Tvj = 25°C VDS = 800 V, VGS = 0 V f = 1 MHz, Tvj = 25°C VDS = 800 V, VGS = 0 V f = 1 MHz, Tvj = 25°C VDS = 800 V, VGS = 0 V Tvj = 25°C VDS = 800 V, VGS = -5 V / 15 V VDS = 1200 V, VGS = -5 V Tvj = 25°C VDS = 0 V VGS = 20 V Tvj = 25°C VGS = -10 V ID = 250 A, VDS = 600 V Tvj = 25°C VGS = -5 V / 15 V Tvj = 125°C RGon = 3,00 Ω Tvj = 150°C ID = 250 A, VDS = 600 V Tvj = 25°C VGS = -5 V / 15 V Tvj = 125°C RGon = 3,00 Ω Tvj = 150°C ID = 250 A, VDS = 600 V Tvj = 25°C VGS = -5 V / 15 V Tvj = 125°C RGoff = 3,90 Ω Tvj = 150°C ID = 250 A, VDS = 600 V Tvj = 25°C VGS = -5 V / 15 V Tvj = 125°C RGoff = 3,90 Ω Tvj = 150°C ID = 250 A, VDS = 600 V, Lσ = 10 nH Tvj = 25°C di/dt = 8,95 kA/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C VGS = -5 V / 15 V, RGon = 3,00 Ω Tvj = 150°C ID = 250 A, VDS = 600 V, Lσ = 10 nH Tvj = 25°C du/dt = 12,9 kV/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C VGS = -5 V / 15 V, RGoff = 3,90 Ω Tvj = 150°C proMOSFET/perMOSFET validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions 660 400 IGSS 69,1 66,4 65,5 33,7 32,0 31,9 124 134 134 43,9 45,2 45,2 4,26 4,75 4,95 5,72 5,99 5,99 td on tr td off tf Eon Eoff RthJH µA nA ns ns ns ns mJ mJ 0,181 K/W Tvj op -40 150 °C BodyDiode/Bodydiode HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues BodyDiode-Gleichstrom DCbodydiodeforwardcurrent Tvj = 175°C, VGS = -5 V TH = 30°C ISD CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Durchlassspannung Forwardvoltage Datasheet  min. ISD = 250 A, VGS = -5 V ISD = 250 A, VGS = -5 V ISD = 250 A, VGS = -5 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 2 VSD  A 110 typ. 4,80 4,55 4,50 max. 5,85 V V2.0 2020-05-20 FF6MR12KM1P VorläufigeDaten PreliminaryData Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  4,0  kV  Cu  MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  Al2O3  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  29,0 23,0  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  23,0 11,0  mm CTI  > 400  RTI  140 VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex RelativerTemperaturindex(elektr.) RTIElec. Gehäuse housing min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TH=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature 20 nH RCC'+EE' 0,485 mΩ -40 TBPmax Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 2,5 Gewicht Weight max. LsCE Tstg Höchstzulässige Bodenplattenbetriebstemperatur Maximumbaseplateoperationtemperature typ.  °C G 340 125 °C 125 °C 6,00 Nm 5,0 Nm g Important note: The selection of positive and negative gate-source voltages impacts the long-term behavior of the device. The design guidelines described in Application Note AN 2018-09 must be considered to ensure sound operation of the device over the planned lifetime. Storage and shipment of modules with TIM => see AN2012-07 Datasheet 3 V2.0 2020-05-20 FF6MR12KM1P VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieMOSFET(typisch) outputcharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VDS) VGS=15V AusgangskennlinieMOSFET(typisch) outputcharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VDS) Tvj=150°C 500 500 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 450 400 400 350 350 300 300 ID [A] ID [A] 450 250 250 200 200 150 150 100 100 50 50 0 VGS = 19 V VGS = 17 V VGS = 15 V VGS = 13 V VGS = 11 V VGS = 9 V VGS = 7 V 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 VDS [V] ÜbertragungscharakteristikMOSFET(typisch) transfercharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VGS) VDS=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 VDS [V] GateladungsCharakteristikMOSFET(typisch) gatechargecharacteristicMOSFET(typical) VGS=f(QG) VDS=800V,ID=250A,Tvj=25°C 500 15 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 450 400 10 350 VGS [V] ID [A] 300 250 5 200 150 0 100 50 0 3 Datasheet 4 5 6 7 8 VGS [V] 9 10 11 -5 12 4 0 100 200 300 QG [nC] 400 500 V2.0 2020-05-20 FF6MR12KM1P VorläufigeDaten PreliminaryData KapazitätsCharakteristikMOSFET(typisch) capacitycharacteristicMOSFET(typical) C=f(VDS) VGS=0V,Tvj=25°C,f=1MHz SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesMOSFET(typical) Eon=f(ID),Eoff=f(ID) VGS=-5V/+15V,RGon=3,0Ω,RGoff=3,9Ω,VDS=600V 100 18 Ciss Coss Crss Eon: Tvj = 125°C Eon: Tvj = 150°C Eoff: Tvj = 125°C, Tvj = 150°C 16 14 10 12 C [nF] E [mJ] 10 8 1 6 4 2 0,1 0,1 1 10 VDS [V] 100 0 1000 SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesMOSFET(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGS=-5V/+15V,ID=250A,VDS=600V 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 ID [A] SichererRückwärts-ArbeitsbereichMOSFET(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaMOSFET(RBSOA) ID=f(VDS) VGS=-5V/+15V,RGoff=3,9Ω,Tvj=150°C 45 550 Eon: Tvj = 125°C Eon: Tvj = 150°C Eoff: Tvj = 125°C, Tvj = 150°C 40 500 ID, Modul ID, Chip 450 35 400 350 25 ID [A] E [mJ] 30 20 300 250 200 15 150 10 100 5 0 50 0 Datasheet 4 8 12 16 20 24 RG [Ω] 28 32 36 0 40 5 0 200 400 600 800 VDS [V] 1000 1200 1400 V2.0 2020-05-20 FF6MR12KM1P VorläufigeDaten PreliminaryData TransienterWärmewiderstandMOSFET transientthermalimpedanceMOSFET ZthJH=f(t) 1 ZthJH [K/W] 0,1 0,01 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0163 0,0735 0,0569 0,0343 τi[s]: 0,00103 0,018 0,115 1,23 0,001 0,001 Datasheet 0,01 0,1 t [s] 1 10 6 V2.0 2020-05-20 FF6MR12KM1P VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines In fin e o n Datasheet 7 V2.0 2020-05-20 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2020-05-20 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2020InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benötigen,wendenSiesichbitteandasnächsteVertriebsbürovonInfineonTechnologies(www.infineon.com). WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung. SofernInfineonTechnologiesnichtausdrücklichineinemschriftlichen,vonvertretungsberechtigtenInfineonMitarbeiternunterzeichneten Dokumentzugestimmthat,dürfenProduktevonInfineonTechnologiesnichtinAnwendungeneingesetztwerden,inwelchen vernünftigerweiseerwartetwerdenkann,dasseinFehlerdesProduktesoderdieFolgenderNutzungdesProdukteszu Personenverletzungenführen.    IMPORTANTNOTICE Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics (“Beschaffenheitsgarantie”).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,InfineonTechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. Inaddition,anyinformationgiveninthisdocumentissubjecttocustomer’scompliancewithitsobligationsstatedinthisdocumentandany applicablelegalrequirements,normsandstandardsconcerningcustomer’sproductsandanyuseoftheproductofInfineonTechnologies incustomer’sapplications. Thedatacontainedinthisdocumentisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Itistheresponsibilityofcustomer’stechnical departmentstoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductinformationgivenin thisdocumentwithrespecttosuchapplication. Forfurtherinformationontheproduct,technology,deliverytermsandconditionsandpricespleasecontactyournearestInfineon Technologiesoffice(www.infineon.com). WARNINGS Duetotechnicalrequirementsproductsmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactyour nearestInfineonTechnologiesoffice. 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