| MMBT5550LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):140V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW; | | | 获取价格 |
| BCX17LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V; | | | 获取价格 |
| BSS63LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@25mA,1V; | | | 获取价格 |
| BC846BLT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):65V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@2mA,5V; | | | 获取价格 |
| NTR1P02T1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):1A;功率(Pd):400mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):180mΩ@10V,1.5A; | | | 获取价格 |
| NDS0610 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):120mA;功率(Pd):360mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10Ω@10V,500mA; | | | 获取价格 |
| MMBFJ175LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | FET类型:-;栅源击穿电压(V(BR)GSS):-;饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源导通电阻(RDS(on)):-;功率(Pd):-; | | | 获取价格 |
| CPH3351-TL-W | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):1.8A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):250mΩ@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.6V@1mA; | | | 获取价格 |
| MMBF4391LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | FET类型:-;栅源击穿电压(V(BR)GSS):-;饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源导通电阻(RDS(on)):-;功率(Pd):-; | | | 获取价格 |
| NTR4503NT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):1.5A;功率(Pd):420mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@2.5A,10V;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):7nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):250pF@24V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| MMBFJ309LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | FET类型:-;栅源击穿电压(V(BR)GSS):-;饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源导通电阻(RDS(on)):-;功率(Pd):-; | | | 获取价格 |
| MGSF1N02LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):750mA;功率(Pd):400mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@10V,1.2A; | | | 获取价格 |
| MMBFJ176 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | FET类型:-;栅源击穿电压(V(BR)GSS):-;栅源截止电压(VGS(off)@ID):-;饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源导通电阻(RDS(on)):-;输入电容(Ciss@Vds):-;功率(Pd):-; | | | 获取价格 |
| NTR4170NT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):2.4A;功率(Pd):480mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@10V,3.2A; | | | 获取价格 |
| MMBF4117 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | FET类型:-;栅源击穿电压(V(BR)GSS):-;饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源导通电阻(RDS(on)):-;功率(Pd):-; | | | 获取价格 |
| 2N7002ET1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):260mA;功率(Pd):300mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,240mA; | | | 获取价格 |
| MMBF4393LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | FET类型:-;栅源击穿电压(V(BR)GSS):-;饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源导通电阻(RDS(on)):-;功率(Pd):-; | | | 获取价格 |
| 2V7002KT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):320mA;功率(Pd):300mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.6Ω@10V,500mA; | | | 获取价格 |
| MMBT2222ALT3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V; | | | 获取价格 |
| MGSF2N02ELT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2.8A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@4.5V,3.6A; | | | 获取价格 |
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