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型号厂商描述数据手册替代料参考价格
FQD19N10LTMMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;获取价格
GRM1555C1H472JE01DMurata Manufacturing Co., Ltd.容值:4.7nF;精度:±5%;额定电压:50V;材质(温度系数):C0G;获取价格
BC63916-D27ZMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):830mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
PN2907ATFRMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):625mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V;获取价格
MPSA06Murata Manufacturing Co., Ltd.获取价格
PN2907BUMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):20uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.6V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V;特征频率(fT):-;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
PN2222ABUMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):10nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V;特征频率(fT):300MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
SS8050CBUMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@100mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
KSA708YTAMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):700mA;功率(Pd):800mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
FAN431AZXAMurata Manufacturing Co., Ltd.电压基准类型:并联;输出类型:可调;输入电压:-;输出电流:100mA;精度:±1%;温度系数:50ppm/℃;静态电流:-;噪声(0.1Hz-10Hz):-;噪声(10Hz-10kHz):-;工作温度:-25℃~+85℃@(Ta);获取价格
KSD5041RTAMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):750mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):340@500mA,2V;获取价格
KSC2383OTAMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):900mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.5V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@200mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
MPSA05RAMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,10mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
NCP1076STAT3GMurata Manufacturing Co., Ltd.The NCP1076 / NCP1077 products integrate a fixed frequency current mode controller with a 700 V MOSFET. Available in a PDIP-7 or SOT-223 package, the NCP1076/7 offer a high level of integration, including soft-start, frequency-jittering, short-circuit pro获取价格
NCP1117ST25T3GMurata Manufacturing Co., Ltd.输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:20V;输出电压:2.5V;输出电流:1A;电源纹波抑制比(PSRR):68dB@(120Hz);获取价格
NCV4254CPDSTR2GMurata Manufacturing Co., Ltd.NCV4254C 是一款单片集成式低漏跟踪稳压器,适用于紧密跟踪参比输入电压的可调缓冲输出电压。该输出可高达 70 mA,同时能够配置为高于、低于或等于参比电压。 该零部件可用于带远程传感器的汽车应用,或需要隔离其他稳压器输出的场合。需要现有稳压器无法提供的更高电流时,NCV4254C 还能让用户快速升级模块。获取价格
MJD47T4GMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):250V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):15W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@300mA,10V;获取价格
NSVBCP53-16T3GMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj);获取价格
NCP1015ST100T3GMurata Manufacturing Co., Ltd.获取价格
NCV8164AMLADJTCGMurata Manufacturing Co., Ltd.输出类型:可调;输出极性:正;输出通道数:1;最大输入电压:5.5V;输出电压:1.2V~5V;静态电流(地电流):40uA;输出电流:300mA;电源纹波抑制比(PSRR):83dB;特性:使能;获取价格