| 1 | MJ15015G | 该双极功率晶体管适用于大功率音频、步进电机和其他线性应用。它还可用于继电器或电磁驱动器、DC-DC 转换器、逆变器等电源切换电路，或需要比 2N3055 安全运行区... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 2 | MJD31CG | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(V... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 3 | MJD45H11G | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):8A;功率(Pd):1.75W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 4 | MJD3055T4G | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):10A;功率(Pd):1.75W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@4A,4V... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 5 | MJD41CT4G | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):6A;功率(Pd):1.75W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 6 | ME15N10-G | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):14.7A;功率(Pd):34.7W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10... | 下载 | MATSUKI |
| 7 | ME12P04 | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):18.6A;功率(Pd):25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):45mΩ@10V,12... | 下载 | MATSUKI |
| 8 | MMBT3906_R1_000Z8 | 40V 330mW 100@10mA,1V 200mA 250MHz 400mV@50mA,5mA PNP -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23 | 下载 | PANJIT SEMI CONDUCTOR |
| 9 | M28S | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱... | 下载 | Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd. |
| 10 | MT2300ACTR-VB | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):2.1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@4.5V,5A;... | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 11 | MMBT3906LT1G | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):300mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 12 | MMBT3904 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):250mW; | 下载 | Rubycon Corporation |
| 13 | MMBT5551LT3G | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):80@10... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 14 | MMBTA06LT1G | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW; | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 15 | MMBTA42LT1G | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@30... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 16 | MMBTA92LT1G | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):25@30... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 17 | MMBT6429LT1G | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):500@10... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 18 | MMBTA55LT1G | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 19 | MMBT2222A,215 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@15... | 下载 | Rubycon Corporation |
| 20 | MMBFJ270 | FET类型:-;栅源击穿电压(V(BR)GSS):-;饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源导通电阻(RDS(on)):-;功率(Pd):-; | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
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