| 1 | SMMBT4403LT1G | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@15... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 2 | SSM3K333R,LF(T | Mosfet, N-Ch, 30V, 6A, Sot-23F Rohs Compliant: Yes | 下载 | TOSHIBA CORPORATION |
| 3 | SM2326NSANC-TRG | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):830mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):70mΩ@4.5V,2.... | 下载 | Sinopower Semiconductor, Inc |
| 4 | SBC817-40LT1G | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@10... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 5 | SBC847CLT1G | | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 6 | ST2304 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):3.2A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,3... | 下载 | STANSON |
| 7 | ST2317S23RG | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):37mΩ@10V,5A; | 下载 | STANSON |
| 8 | ST1002 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):128mΩ@10V,3A; | 下载 | STANSON |
| 9 | S9012 | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@... | 下载 | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd |
| 10 | SMMBTA56LT3G | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 11 | SMMBTA06LT3G | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 12 | SBC807-16LT3G | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 13 | S9013 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发... | 下载 | YFW |
| 14 | S9014 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发... | 下载 | YFW |
| 15 | S9015 | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发... | 下载 | YFW |
| 16 | S8050 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发... | 下载 | YFW |
| 17 | SMMBT2222ALT1G | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW;集电极截止电流(Icbo):10nA;集电极-发射... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 18 | SI6954ADQ-T1-BE3 | N-CHANNEL 2.5-V (G-S) BATTERY SW | 下载 | Vishay Intertechnology, Inc. |
| 19 | SE8810A(ESD) | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@4.5V,7... | 下载 | SINO-IC |
| 20 | SEBT818BA | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和... | 下载 | SINO-IC |
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