IRF840

IRF840 http://www.osen.net.cn 500V N-CHANNEL MOSFET  Features：  Fast switching speed 开关速度快  High input impedance and low level drive 高输入阻抗和低电平驱动  Avalanche energy tested 雪崩能量测试  Improved dv/dt capability，high ruggedness 提高 dv/dt 能力，高耐用性 TO-220  Applications  High efficiency switch mode power supplies 高效率开关电源  Power factor correction 功率因数校正  Electronic lamp ballast 电子整流器 Publication Order Number:[IRF840] @OSEN*Rev 21.2.10 1 http://www.osen.net.cn IRF840 500V N-CHANNEL MOSFET  Absolute Maximum Ratings (Tc=25°C) Symbol VDSS VGS ID IDM PD Tj Parameters Ratings Unit 500 V ±30 V 漏极持续电流 9 A Drain Current-Single Plused（Note 1） 漏极单次脉冲电流 36 A 135 W 150 ℃ Drain-Source Voltage 漏源电压 Gate-Source Voltage-Continuous 栅源电压 Drain Current-Continuous（Note 2） Power Dissipation （Note 2） 功率损耗 Max.Operating junction temperature 最大结温  Electrical characteristics (Tc=25°C unless otherwise noted) Symbo l Parameters Min Typ Max Units Conditions 500 -- -- V 2.0 -- 4.0 V VDS=VGS，ID=250μA -- 0.68 -- Ω VGS=10V，ID=4.5A -- -- ±100 nA VGS=±30V，VDS=0 -- -- 1 μA VDS=500V，VGS=0 Static Characteristics Drain-Source Breakdown BVDSS VoltageCurrent （Note 1） 漏极击穿电压 VGS(th) RDS(on) IGSS IDSS Gate Threshold Voltage 栅极开启电压 Drain-Source On-Resistance 漏源导通电阻 Gate-Body Leakage Current 栅极漏电流 Zero Gate Voltage Drain Current 零栅极电压漏极电流 Publication Order Number:[IRF840] ID=250µA， VGS=0V，TJ=25°C @OSEN*Rev 21.2.10 2 http://www.osen.net.cn IRF840 500V N-CHANNEL MOSFET Switching Characteristics Td（on） Tr Td（off） Tf Qg Qgs Qgd Turn-On Delay Time 开启延迟时间 Rise Time 上升时间 Turn-Off Delay Time 关闭延迟时间 Fall Time 下降时间 Total Gate Charge 栅极总电荷 Gate-Source Charge 栅源极电荷 Gate-Drain Charge 栅漏极电荷 -- 13.6 37.2 ns -- 9.1 28.2 ns -- 42 94 ns -- 10 30 ns -- 43 56 nC VDS=250V，ID=9A， RG=25Ω（Note 2） VDS=400V,VGS=10V -- 7.5 -- nC -- 18.5 -- nC -- 1130 1505 pF ID=9A（Note 2） Dynamic Characteristics Ciss Coss Crss IS VSD Rth(j-c) Input Capacitance 输入电容 Output Capacitance VDS=25V，VGS=0， -- 45 60 pF -- 20 35 pF Continuous Drain-Source Diode Forward Current（Note 2） 二极管导通正向持续电流 -- -- 9 A Diode Forward On-Voltage 二极管正向导通电压 -- -- 1.4 V Thermal Resistance, Junction to Case 结到外壳的热阻 -- -- 0.93 ℃/W 输出电容 Reverse Transfer Capacitance 反向传输电容 f=1MHz IS=9A，VGS=0 Note 1: Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature Note 2: Pulse test: PW