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| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| HYG065P03LQ1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):57.7W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.9mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):76nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.595nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):446pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NIF9N05CL-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):4.5A;功率(Pd):4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):76mΩ@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):10nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):810pF@30V;反向传输电容(Crss@Vds):100pF@30V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 |
