1 | HCPL0601 | 输入类型:DC;共模瞬变抗扰度CMTI:10kV/us;数据速率:10Mbit/s;传播延迟tpLH/tpHL:75ns,75ns;电源电压:4.5V~5.5V; | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
2 | HSL10N06 | | 下载 | HUASHUO SEMICONDUCTOR |
3 | HSL0004 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):112mΩ@10V,2A... | 下载 | HUASHUO SEMICONDUCTOR |
4 | HSL6008 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):2.8A;功率(Pd):1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10V,2... | 下载 | HUASHUO SEMICONDUCTOR |
5 | HYG065N07NS1B | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):70V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,4... | 下载 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. |
6 | HSH250N10 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):250A;功率(Pd):411W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.9mΩ@10V,... | 下载 | HUASHUO SEMICONDUCTOR |
7 | HV1A477M0607PZ | 贴片铝电解电容 SMD,D6.3xL7.7mm 470µF ±20% 10V | 下载 | HONOR |
8 | HDGC2008WV-04P | | 下载 | Shenzhen Huade Co-create Technology Co.,Ltd |
9 | HDGC2008WV-04P | | 下载 | Shenzhen Huade Co-create Technology Co.,Ltd |
10 | HS96L03W2C03 | | 下载 | HS |
11 | HoYLR2512-3W-40mR-1% | 电流采样电阻 2512 40mΩ ±1% 3W | 下载 | Shenzhen City milliohm Electronics Co., Ltd. |
12 | HYSSG6-1 | 互感器 SMD 800µH | 下载 | CDHY |
13 | HC-VH-2A2W-L | 参考系列:VH;间距:3.96mm;插针结构:1x2P;排数:1;每排PIN数:2;行距:-;公母:公型插针;安装方式:弯插;额定电流:7A;工作温度范围:-25℃... | 下载 | Huacan Tianlu Electronics |
14 | H1OSI-STU-8M | 无源晶振 8MHz ±10ppm 20pF HC49S -40℃~+85℃ 与老型号 X49SD8MSB2SI 相同 | 下载 | Shenzhen Yangxing Technology Co., Ltd |
15 | HC-3.96-10A10W-G | 参考系列:CH;间距:3.96mm;插针结构:1x10P;排数:1;每排PIN数:10;行距:-;公母:公型插针;安装方式:弯插;额定电流:6A;工作温度范围:-2... | 下载 | Huacan Tianlu Electronics |
16 | HC-3.96-3A3W-G | 参考系列:CH;间距:3.96mm;插针结构:1x3P;排数:1;每排PIN数:3;行距:-;公母:公型插针;安装方式:弯插;额定电流:6A;工作温度范围:-25℃... | 下载 | Huacan Tianlu Electronics |
17 | HB3510P | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):83W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):38mΩ@10V,15A... | 下载 | HL |
18 | HB100N08(CEE) | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):82V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):147W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,4... | 下载 | HL |
19 | HD60N75 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):75V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):3.75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,30... | 下载 | HL |
20 | HSS2305A | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):4.9A;功率(Pd):1.31W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):45mΩ@4.5V,... | 下载 | HUASHUO SEMICONDUCTOR |