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序号器件名产品描述数据手册生厂商
1H8118A30M5R单节电池高效PFM同步升压DC/DC变换器下载Siproin
2HT7570-7输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:30V;输出电压:7V;输出电流:150mA;电源纹波抑制比(PSRR):-;下载Holmate Technology Corp. (Holtek)
3H7211-15M5R输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:6V;输出电压:1.5V;输出电流:300mA;电源纹波抑制比(PSRR):80dB;下载Siproin
4H7650-50GR输出类型:固定;输出极性:正;输出通道数:1;最大输入电压:10V;输出电压:5V;压差:800mV@(1A);输出电流:750mA;电源纹波抑制比(PRSS):7...下载Siproin
5HSP100N15类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):178W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.3mΩ@10V,...下载HUASHUO SEMICONDUCTOR
6HYG045N10NS1P下载HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.
7HYG090N06LS1P类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.1mΩ@10V,20A...下载HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.
8HSP6016类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):86.8W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,30...下载HUASHUO SEMICONDUCTOR
9HY3810P类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):180A;功率(Pd):346W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,...下载HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.
10HP6215S3-36输出类型:-;下载HYPWR
11HT7533 30v输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:30V;输出电压:3.3V;输出电流:100mA;电源纹波抑制比(PSRR):-;下载ShenZhen Puolop Electronics co.,LTD.
12HK7533输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:24V;输出电压:3.3V;输出电流:100mA;电源纹波抑制比(PSRR):-;下载Shenzhen Hangshun Integrated Circuit R&D Co.
13HK7350-A输出类型:-;下载Shenzhen Hangshun Integrated Circuit R&D Co.
14HP6513T3B-50输出类型:-;下载HYPWR
15HP6215T3-30输出类型:固定;输出极性:正;输出通道数:1;最大输入电压:16V;输出电流:500mA;工作温度:-40℃~+125℃@(Tj);下载HYPWR
16HT7344-A输出类型:-;下载Shenzhen guoxin jiapin semiconductor co., LTD
17HSU6040类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):112A;功率(Pd):104W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.2mΩ@10V,1...下载HUASHUO SEMICONDUCTOR
18HSU80N03类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):115W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,30A;...下载HUASHUO SEMICONDUCTOR
19HSU0018A类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):45A;功率(Pd):90W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@10V,30A...下载HUASHUO SEMICONDUCTOR
20HR13003晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):480V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.25W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极...下载HL