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序号器件名产品描述数据手册生厂商
12220CC274KAZ1A0.27 µF ±10% 630V 陶瓷电容器 X7R 2220(5750 公制)下载AVX Corporation
22220HC682KAT1A6800 pF ±10% 3000V(3kV) 陶瓷电容器 X7R 2220(5750 公制)下载AVX Corporation
327T332C3.3 µH 无屏蔽 绕线 电感器 1.2 A 160 毫欧最大 非标准下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
427T152C1.5 µH 无屏蔽 绕线 电感器 1.6 A 100 毫欧最大 非标准下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
523330C33 µH 无屏蔽 绕线 电感器 640 mA 497 毫欧最大 非标准下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
62EDGVC-5.08-12P-14-130A(H)接线端子 P=5.08mm 12Pin下载Degson Electronical Co., Ltd.
72N60G-CB-AA3-R类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):44W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,1A;阈值电...下载Unisonic Technology Co., Ltd.
82200148UM-PRO 72 Length 22.5 Color GY7035下载Phoenix Contact
92TJ432000DYFBC频率:32MHz;频率公差:±10ppm;负载电容:7pF;下载JYJE
102H/2501H-4P*2+红白排 L=180mm-下载ckmtw
1120P03-HXY类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):29W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):39mΩ@10V,15A;下载Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. Ltd.
1220N06HD-VB类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):35A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@10V,35A;下载VBsemi Electronics Co. Ltd
132N3773G晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):140V;集电极电流(Ic):16A;功率(Pd):150W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@8A,4V...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
142SD2098晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):500nA;集电极-发射极饱...下载Rubycon Corporation
152SC2881晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):500mW;下载Rubycon Corporation
162SD1628G-TD-E晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
172SA2016-TD-E晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):7A;功率(Pd):3.5W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
182SB1115晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压...下载Taiwan shike Electronics co.,ltd
192SD1614晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):135@100mA,...下载Taiwan shike Electronics co.,ltd
202SB805晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):700mA;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极...下载Taiwan shike Electronics co.,ltd