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序号器件名产品描述数据手册生厂商
1FDS8958A-F085MOSFET - 阵列 30V 7A,5A 900mW 表面贴装型 8-SOIC下载ON Semiconductor
2FP0705R2-R10-R105 nH 无屏蔽 鼓芯,绕线式 电感器 38 A 0.32 毫欧 非标准下载Eaton
3FZT705下载Diodes Incorporated
4FDB075N15A类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):130A;功率(Pd):333W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
5FZT749下载Diodes Incorporated
6FCD2250N80Z类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):2.6A;功率(Pd):39W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.25Ω@1.3A,...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
7FIR15N10LG-VB类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):15A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):114mΩ@10V,15A;下载VBsemi Electronics Co. Ltd
8FR104W F4二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.3V@1A;下载Mason semiconductor
9FR107S直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.3V@1A;反向恢复时间(trr):500ns;下载EIC
10FRL2512JR680TS下载FOJAN Resistor
11FHS150N1F4A类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;...下载Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd.
12FHS110N8F5A类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):157W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,50A...下载Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd.
13FH17P03D下载Shenzhen Xinfeihong Electronics Co., Ltd.
14FH1806D2下载Shenzhen Xinfeihong Electronics Co., Ltd.
15FS2309类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):1.6A;功率(Pd):1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):190mΩ@10V,1...下载Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd
16FS3402 A2LA下载FOSAN Semiconductor
17FDN352AP类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):1.3A;功率(Pd):500mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):180mΩ@10V,...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
18FDN304P类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2.4A;功率(Pd):500mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):52mΩ@4.5V,...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
19FDN335N类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):1.7A;功率(Pd):500mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):70mΩ@4.5V,...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
20FDN5618P类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):1.25A;功率(Pd):500mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):170mΩ@10V...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.