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序号器件名产品描述数据手册生厂商
1FZT955-MS集射极击穿电压(Vceo):-140V 集电极电流(Ic):-4A 功率(Pd):3W 集电极截止电流(Icbo):50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat...下载Mason semiconductor
2FRC0603F2673TS下载FOJAN Resistor
3FV42N680J302ECG下载Prosperity Dielectrics Co., Ltd
4FV42N680J302ECG下载Prosperity Dielectrics Co., Ltd
5FH1607B下载Shenzhen Xinfeihong Electronics Co., Ltd.
6FQU20N06LTU类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
7FC3357下载Shenzhen guoxin jiapin semiconductor co., LTD
8FKD4004下载FETek Technology Corporation
9FS2310M类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):1.2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@4.5V,5A;下载FOSAN Semiconductor
10FS3400MLT1 A09T下载FOSAN Semiconductor
11FS3401LT1 X1FS21下载FOSAN Semiconductor
12FDV301N类型:N沟道;漏源电压(Vdss):25V;连续漏极电流(Id):220mA;功率(Pd):350mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4Ω@4.5V,4...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
13FDN306P类型:P沟道;漏源电压(Vdss):12V;连续漏极电流(Id):2.6A;功率(Pd):500mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@2.6A,...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
14FDN327N类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):500mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):70mΩ@4.5V,2A...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
15FDN339AN类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):500mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@4.5V,3A...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
16FJV992FMTF晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):50mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
17FJV1845FMTF晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):50mA;功率(Pd):300mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300@1m...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
18FDC5614P类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):1.6W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):105mΩ@3A,10V;下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
19FDC6401N类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):700mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):70mΩ@4.5V,...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
20FDC606P类型:P沟道;漏源电压(Vdss):12V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):1.6W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@4.5V,6A;下载Murata Manufacturing Co., Ltd.