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序号器件名产品描述数据手册生厂商
1FP6276XR-G1功能类型:升压型;同步整流:是;输出通道数:1;拓扑结构:升压式;输入电压:2.4V~4.5V;输出电压:5.3V;输出电流(最大值):6A;开关频率:500kHz...下载AnalogySemi
2FP6298XR-G1功能类型:升压型;同步整流:否;输出通道数:1;拓扑结构:升压式;输入电压:2.6V~5.5V;输出电压:9V;输出电流(最大值):4.5A;开关频率:500kHz...下载AnalogySemi
3FD2H001BYR-LF低功率霍尔传感器尾缀区别详见商品介绍!下载AnalogySemi
4FR104GR正向压降(Vf):1.3V @ 1A;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):1A;反向恢复时间(trr):150ns;二极管配置:-;下载Chongqing Pingwei Technology (Group) Co., Ltd.
5FR101GP-TPDIODE GPP 1A DO-41下载Micro Commercial Components
6FR155GP-TPDIODE GPP FAST 1.5A DO-15下载Micro Commercial Components
7FR156GP-TPDIODE GPP FAST 1.5A DO-15下载Micro Commercial Components
8FR204二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1.3V@2A;反向电流(Ir):5uA@400V;反向恢复时间(tr...下载Goodwork Semiconductor Co.,Ltd.
9FR207GR二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1.3V@2A;反向电流(Ir):5uA@1kV;反向恢复时间(tr...下载Chongqing Pingwei Technology (Group) Co., Ltd.
10FP355KR-G1下载AnalogySemi
11FP6161KR-LF-ADJ功能类型:降压型;同步整流:-;输出通道数:-;拓扑结构:-;输入电压:-;输出电流(最大值):-;开关频率:-;下载AnalogySemi
12FDU5N50NZTUMOSFET N-CH 500V IPAK3下载ON Semiconductor
13FDP7N60NZ类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):6.5A;功率(Pd):147W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.25Ω@10V,...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
14FDP52N20类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):52A;功率(Pd):357W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):49mΩ@10V,26...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
15FGP20N60UFDTUIGBT类型:场截止;功率(Pd):165W;集射极击穿电压(Vces):600V;集电极电流(Ic):40A;下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
16FCP190N65F类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):20.6A;功率(Pd):208W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):190mΩ@10V...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
17FR1205-VB类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):35A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@10V,35A;下载VBsemi Electronics Co. Ltd
18FDD6685类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):11A;40A;功率(Pd):1.6W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@11A...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
19FDD8447L类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):15.2A;50A;功率(Pd):3.1W;44W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8....下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
20FDD8870类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):21A;160A;功率(Pd):160W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.9mΩ@1...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.