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序号器件名产品描述数据手册生厂商
1ME6118A25B3G输出类型:-;下载Najing Micro One Electronics Inc.
2ME1117FB3G输出类型:-;下载Najing Micro One Electronics Inc.
3MC33275ST-3.3T3G输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:13V;输出电压:3.3V;输出电流:300mA;电源纹波抑制比(PSRR):75dB@(120Hz);下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
4MJB41CT4G晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):6A;功率(Pd):2W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@3A,4V;下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
5MJB42CT4G晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):6A;功率(Pd):2W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@3A,4V;下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
6MOT130N03D电压VDSS30V,电流ID130A下载MOT
7MS5N100FD类型:N沟道;漏源电压(Vdss):1kV;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):68W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5Ω@10V,1.75A...下载MASPOWER
8ME85P03-VB类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,80A;下载VBsemi Electronics Co. Ltd
9MHT193UGCT下载Lianyungang Meihua Electronics Technology
10ML1220锂离子电池下载Panasonic Corporation
11ME6208A33TG下载Najing Micro One Electronics Inc.
12ME6208A30TG下载Najing Micro One Electronics Inc.
13MBR0530直流反向耐压(Vr):30V;平均整流电流(Io):500mA;正向压降(Vf):550mV@0.5A;反向电流(Ir):20uA@30V;下载Luguang Electronics Technology Co., Ltd.
14MD7218C18YA21.6uA静态功耗,18V耐压,1A电流输出,高瞬态下载Shanghai Mingda Microelectronics Co., Ltd.
15MD7601B3610uA静态功耗,40V耐压,1A电流输出,高瞬态下载Shanghai Mingda Microelectronics Co., Ltd.
16MPSA06下载Rubycon Corporation
17MJ15015G该双极功率晶体管适用于大功率音频、步进电机和其他线性应用。它还可用于继电器或电磁驱动器、DC-DC 转换器、逆变器等电源切换电路,或需要比 2N3055 安全运行区...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
18MJD31CG晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(V...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
19MJD45H11G晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):8A;功率(Pd):1.75W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
20MJD3055T4G晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):10A;功率(Pd):1.75W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@4A,4V...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.