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序号器件名产品描述数据手册生厂商
1MMBFJ175LT3GFET类型:P沟道;栅源击穿电压(V(BR)GSS):30V;饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):7mA@15V;漏源导通电阻(RDS(on)):125Ω...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
2MMBT5550LT3G晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):140V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):60@10...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
3MMBTA05LT3G晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
4MC74HC126ADR2G类型:缓冲器,非反相;电源电压:2V~6V;输入类型:-;输出类型:三态;低电平输出电流(IOL):7.8mA;高电平输出电流(IOH):7.8mA;工作温度:-5...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
5MC74HCT125ADR2G电源电压:2V~6V;输入类型:-;输出类型:三态;灌电流(IOL):6mA;拉电流(IOH):6mA;工作温度:-55℃~+125℃;下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
6MM74HC126MMM74HC125 和 MM74HC126 是通用型 3 态高速非反相缓冲器,采用先进的硅门极 CMOS 工艺。它们具有高驱动电流输出,即使在驱动大总线电容时也能实...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
7MM74HC126MXMM74HC125 和 MM74HC126 是通用型 3 态高速非反相缓冲器,采用先进的硅门极 CMOS 工艺。它们具有高驱动电流输出,即使在驱动大总线电容时也能实...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
8MS80N03类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):105W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ@10V,30...下载Mason semiconductor
9MBR120ESFT1G直流反向耐压(Vr):20V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):530mV@1A;下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
10MMSZ9V1BW二极管配置:独立式;稳压值(标称值):9.1V;稳压值(范围):8.92V~9.28V;精度:±2%;功率:500mW;反向电流(Ir):450nA@6V;阻抗(Z...下载FORMOSA MICROSEMI CO. LTD
11MM5Z6V2ST5GDIODE ZENER 6.2V 500MW SOD523下载ON Semiconductor
12MM5Z8V2ST5GDIODE ZENER 8.2V 500MW SOD523下载ON Semiconductor
13MM5Z5V1ST5G二极管 - 齐纳 5.1 V 500 mW ±2.16% 表面贴装型 SOD-523下载ON Semiconductor
14MMBZ5234BV_R1_00001SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIOD下载PANJIT SEMI CONDUCTOR
15MMBZ5255BV_R1_00001SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIOD下载PANJIT SEMI CONDUCTOR
16MMBZ5259BV_R1_00001SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIOD下载PANJIT SEMI CONDUCTOR
17MMBZ5257BV_R1_00001SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIOD下载PANJIT SEMI CONDUCTOR
18MM5Z4686T1G二极管 - 齐纳 3.9 V 500 mW ±5.13% 表面贴装型 SOD-523下载ON Semiconductor
19MM5Z4682T5GZEN SOD523 LOW IZ REG 0.5下载ON Semiconductor
20MADP-008120-12790T二极管 - 射频 PIN - 单 100V 150 mA SC-79下载MACOM partner RF to Light