| 1 | MC7812BTG | 输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:35V;输出电压:12V;输出电流:1A;电源纹波抑制比(PSRR):60dB@(1kHz); | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 2 | MC7805ABTG | 输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:35V;输出电压:5V;输出电流:1A;电源纹波抑制比(PSRR):83dB@(120Hz); | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 3 | MC7906CTG | 输出类型:固定;输出极性:负;最大输入电压:35V;输出电压:6V;输出电流:1A;电源纹波抑制比(PSRR):65dB@(120Hz); | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 4 | MC79M15CTG | 输出类型:固定;输出极性:负;最大输入电压:35V;输出电压:15V;输出电流:500mA;电源纹波抑制比(PSRR):60dB@(120Hz); | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 5 | MC7912ACTG | 输出类型:固定;输出极性:负;最大输入电压:35V;输出电压:12V;输出电流:1A;电源纹波抑制比(PSRR):61dB@(120Hz); | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 6 | MMSTA92 | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):305V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):200mW; | 下载 | Rubycon Corporation |
| 7 | MMST5551 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发... | 下载 | Rubycon Corporation |
| 8 | MMST3904 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):60nA;集电极-发射... | 下载 | Rubycon Corporation |
| 9 | MMBT2907AWT1G | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):150mW;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 10 | MD57E33QA3 | 输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:5.5V;输出电压:1.2V~4.5V;输出电流:300mA; | 下载 | Shanghai Mingda Microelectronics Co., Ltd. |
| 11 | MD8225 | 输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:40V;输出电压:3V~12V;输出电流:150mA; | 下载 | Shanghai Mingda Microelectronics Co., Ltd. |
| 12 | MD7030C | 1.2uA静态功耗,高耐压CMOS输出电压检测芯片 | 下载 | Shanghai Mingda Microelectronics Co., Ltd. |
| 13 | MD52E28QA3 | 输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:7V;输出电压:1.2V~5V;输出电流:500mA; | 下载 | Shanghai Mingda Microelectronics Co., Ltd. |
| 14 | MC7906CD2TG | IC REG LINEAR -6V 1A D2PAK | 下载 | ON Semiconductor |
| 15 | MC7805ACD2TR4 | IC REG LINEAR 5V 1A D2PAK | 下载 | ON Semiconductor |
| 16 | MC7912BD2TR4 | IC REG LINEAR -12V 1A D2PAK | 下载 | ON Semiconductor |
| 17 | ME6203A100PG | 输出类型:-; | 下载 | Najing Micro One Electronics Inc. |
| 18 | MST1172TS | | 下载 | Milestone Semiconductor Inc. |
| 19 | ME6216A30PG | 输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:6V;输出电压:3V;输出电流:300mA;电源纹波抑制比(PSRR):65dB@(1kHz); | 下载 | Najing Micro One Electronics Inc. |
| 20 | MS3N100HGD0 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):1kV;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.2Ω@10V,1A; | 下载 | MASPOWER |
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