| 1 | FWF12504-S02B24W5M | | 下载 | TXGA |
| 2 | FP0705R1-R18-R | 180 nH 无屏蔽 鼓芯，绕线式 电感器 43 A 0.25 毫欧 非标准 | 下载 | Eaton |
| 3 | FR107G | 正向压降(Vf):1.3V @ 1A;反向恢复时间(trr):500ns;平均整流电流(Io):1A;直流反向耐压(Vr):1kV;二极管配置:-; | 下载 | DIYI ELECTRONIC |
| 4 | FDB86363-F085 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):110A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2mΩ@10V,80A... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 5 | FSC-BW121 | 蓝牙+WiFi模组，2.4g+5g频段 | 下载 | Shenzhen Feasycom Co.,Ltd |
| 6 | FXLA0630-100M | 功率电感 10μH ±20% 4.5A SMD | 下载 | Changjiang Microelectronics Technology Co., Ltd. |
| 7 | FRC0402F3481TS | | 下载 | FOJAN Resistor |
| 8 | FZT853 | | 下载 | Diodes Incorporated |
| 9 | FZT751 | | 下载 | Diodes Incorporated |
| 10 | FZ330UF50V90RV0142 | | 下载 | KNSCHA |
| 11 | FQD2N100TM | 类型:N沟道; | 下载 | Guangzhou Tokmas Electronics Co., LTD |
| 12 | FQD17P06TM | 此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 13 | FQD17P06-VB | | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 14 | FH3060D | 漏源电压(Vdss):30V; | 下载 | Shenzhen Xinfeihong Electronics Co., Ltd. |
| 15 | FH1607D | 漏源电压(Vdss):68V; | 下载 | Shenzhen Xinfeihong Electronics Co., Ltd. |
| 16 | FDD8770-VB | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):65A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@4.5V,65A; | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 17 | FOC-817C | 输入电压类型:-;输出通道数:-;正向电压:-;反向电压:-;输出电流:-;接收端电压:-;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):-;隔离电压(rms):... | 下载 | NATIONSTAR |
| 18 | FS56X105K501EGG | 容值:1uF;精度:±10%;额定电压:500V;材质(温度系数):X7R; | 下载 | Prosperity Dielectrics Co., Ltd |
| 19 | FRC1206F1401TS | 贴片电阻 1206 1.4KΩ ±1% 1/4W ±100ppm/℃ | 下载 | FOJAN Resistor |
| 20 | FH6880A | | 下载 | Shenzhen Xinfeihong Electronics Co., Ltd. |
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