| SS36BF | MDD辰达半导体 | | | | 获取价格 |
| SS3150B | MDD辰达半导体 | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):150V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):850mV@3A; | | | 获取价格 |
| SMF40CA | MDD辰达半导体 | 辰达行 SOD-123FL 200W 40V | | | 获取价格 |
| SK810C | MDD辰达半导体 | | | | 获取价格 |
| MMBZ6V2AL | MDD辰达半导体 | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):3V;击穿电压(VBR):6.2V;钳位电压(Vc)@Ipp:8.7V; | | | 获取价格 |
| MMBTA92 | MDD辰达半导体 | PNP IC（集电极最大电流）=-300mA PD（最大功率）=300mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
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| MMBTA42 | MDD辰达半导体 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):65V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):350mW;集电极截止电流(Icbo):250nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@20mA,2mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):60@1mA,10V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| MMBT2222A | MDD辰达半导体 | triode SOT23 NPN IC=600mA | | | 获取价格 |
| MMBD4148CC | MDD辰达半导体 | 二极管配置:1对共阴极;功率:350mW;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1V@10mA;反向电流(Ir):5uA@75V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| MBRX140 | MDD辰达半导体 | MBRX140 | | | 获取价格 |
| MBRF1045CT | MDD辰达半导体 | | | | 获取价格 |
| MB26S | MDD辰达半导体 | 桥式整流器/整流桥 60V 2A MBS | | | 获取价格 |
| M4F | MDD辰达半导体 | | | | 获取价格 |
| GS1M | MDD辰达半导体 | VR=1000V IF=1A VF=1.1V IR=5uA | | | 获取价格 |
| ESD8D5V0 | MDD辰达半导体 | | | | 获取价格 |
| ESD5B3CM | MDD辰达半导体 | | | | 获取价格 |
| ESD1201OC | MDD辰达半导体 | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):12V;击穿电压(VBR):13.3V; | | | 获取价格 |
| ESD0302TL | MDD辰达半导体 | | | | 获取价格 |
| ES3GC | MDD辰达半导体 | 直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1.25V @ 3A;反向恢复时间(trr):35ns;二极管配置:-; | | | 获取价格 |
| BZX84C5V1 | MDD辰达半导体 | BZX84C5V1 | | | 获取价格 |
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