| S10BC | Jingdao | VRRM=100V IF=10A VF=1V IR=5μA | | | 获取价格 |
| TB310S | Jingdao | 3A表面安装肖特基电桥 VR=100V IR=0.3mA ABS | | | 获取价格 |
| MM1Z56B | Jingdao | 硅平面稳压二极管 | | | 获取价格 |
| 1SMA4731A | Jingdao | 稳压二极管 Vz=4.3V 4.06V~4.56V Izt=75mA P=1W SMA | | | 获取价格 |
| US2DF | Jingdao | 表面贴装超快恢复整流器反向电压 - 50 至 1000 V ,正向电流 - 2 A | | | 获取价格 |
| RS2G | Jingdao | 二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):400V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1.3V@2A 反向电流(Ir):5μA@400V 反向恢复时间(trr):150ns 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj) | | | 获取价格 |
| MM3Z6V8W | Jingdao | 硅平面稳压二极管 Vz=6.8V Pd=300mW Izt=5mA SOD323W | | | 获取价格 |
| MM3Z20W | Jingdao | 稳压二极管 Vz=20V Pd=300mW Izt=5mA SOD323W | | | 获取价格 |
| MM1Z6V8W | Jingdao | 硅平面齐纳二极管 Vz=6.8V Izt=5mA Pd=500mW | | | 获取价格 |
| MM1Z2V4W | Jingdao | 硅平面齐纳二极管 Vz=2.4V Izt=5mA Pd=500mW | | | 获取价格 |
| MM3Z5V1BW | Jingdao | 稳压二极管 Vz=5.1V Pd=400mW Izt=5mA SOD323 | | | 获取价格 |
| MM1Z12W | Jingdao | 硅平面齐纳二极管 Vz=12V Izt=5mA Pd=500mW | | | 获取价格 |
| RS3GBF | Jingdao | 二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):400V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1.3V@3A 反向电流(Ir):5μA@400V 反向恢复时间(trr):150ns 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj) | | | 获取价格 |
| SMCJ160A | Jingdao | SMCJ系列专门设计用于保护敏感电子设备免受雷电和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变。 | | | 获取价格 |
| SMF100A | Jingdao | TVS二极管 VRWM=100V VBR(Min)=111V VC=162V IPP=1.1A Ppp=200W SOD123FL | | | 获取价格 |
| SMAFJ28CA | Jingdao | 极性:双向 反向截止电压(Vrwm):28V 击穿电压(最小值):31.1V 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:8.8A 最大钳位电压:45.4V | | | 获取价格 |
| SMCJ130CA | Jingdao | SMCJ系列专门设计用于保护敏感电子设备免受雷电和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变。 | | | 获取价格 |
| SMBJ220A | Jingdao | 表面安装瞬态电压抑制器 功率600瓦 隔离电压:5.0V~440V | | | 获取价格 |
| SMDJ51CA | Jingdao | SMDJ系列专门设计用于保护敏感电子设备免受雷电和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变。 | | | 获取价格 |
| SMAFJ85A | Jingdao | ESD抑制器/TVS二极管 VRWM=85V VBR(Min)=94V VC=137V IPP=2.9A Ppp=400W SAMF | | | 获取价格 |