| TSD18N20M | Shenzhen Truesemi Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):18A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):170mΩ;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| TSP18N20M | Shenzhen Truesemi Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):18A; | | | 获取价格 |
| TSD840MD | Shenzhen Truesemi Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| TSU5N65M | Shenzhen Truesemi Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):58W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3Ω;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| TSP10N60M | Shenzhen Truesemi Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):162W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA; | | | 获取价格 |
| TSP740MR | Shenzhen Truesemi Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):400V;连续漏极电流(Id):10.5A;功率(Pd):193.6W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):510mΩ@10V,5.5A; | | | 获取价格 |
| TSP8N60M | Shenzhen Truesemi Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):7.5A;功率(Pd):152W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.2Ω@10V,3.75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| TSP840MR | Shenzhen Truesemi Semiconductor Co., Ltd. | TSP840MR | | | 获取价格 |
| TSU5N60M | Shenzhen Truesemi Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):4.5A;功率(Pd):48W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,2.25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA; | | | 获取价格 |
| TSD16N25M | Shenzhen Truesemi Semiconductor Co., Ltd. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
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