| BCW33LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):32V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):300mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):420@2mA,5V; | | | 获取价格 |
| BC847BLT3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| MMBT4401LT3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):750mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,1V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| SBC817-16LT3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V; | | | 获取价格 |
| NSVMMBT5401LT3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):150V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):60@10mA,5V; | | | 获取价格 |
| FJV1845FMTF | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):50mA;功率(Pd):300mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300@1mA,6V; | | | 获取价格 |
| NVD5C684NLT4G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 DPAK 封装中且具有较高的热性能。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。 | | | 获取价格 |
| FDC5614P | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):1.6W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):105mΩ@3A,10V; | | | 获取价格 |
| FDC6401N | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):700mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):70mΩ@4.5V,3A; | | | 获取价格 |
| FDC606P | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):12V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):1.6W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@4.5V,6A; | | | 获取价格 |
| FDC6333C | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-; | | | 获取价格 |
| CPH6341-TL-W | Murata Manufacturing Co., Ltd. | | | | 获取价格 |
| FDC5661N-F085 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):4.3A;功率(Pd):1.6W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):47mΩ@4.3A,10V; | | | 获取价格 |
| NTGS3446T1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| MM74HC125M | Murata Manufacturing Co., Ltd. | MM74HC125和MM74HC126是采用先进硅栅极CMOS技术的通用3态高速同相缓冲器。 它们具有高驱动电流输出，即使在驱动大型总线电容时也能实现高速运行。 此类电路具有低功耗CMOS电路，并且具有与低功耗肖特基TTL电路相媲美的速度。 两种电路都能驱动高达15个低功率肖特基输入。 MM74HC125要求3态控制输入C为高电平以将输入变为高阻抗条件，而MM74HC126要求控制输出为低电平以将输出变为高阻抗。 所有输入通过连接至V | | | 获取价格 |
| NCS21914DR2G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 放大器组数:4;带宽(-3db):-;输入偏置电流(Ib):100pA;输入失调电压(Vos):1uV;增益带宽积(GBP):2MHz;压摆率(SR):1.6V/us; | | | 获取价格 |
| CNY173SR2VM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.15V;反向电压:6V;输出电流:50mA;接收端电压:70V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):400mV@2.5mA,10mA;隔离电压(rms):4.17kV; | | | 获取价格 |
| CNY171SR2VM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.15V;反向电压:6V;输出电流:50mA;接收端电压:70V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):400mV@2.5mA,10mA;隔离电压(rms):4.17kV; | | | 获取价格 |
| H11A1SM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.18V;反向电压:6V;输出电流:30mA;接收端电压:70V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):400mV@0.5mA,10mA;隔离电压(rms):4.17kV; | | | 获取价格 |
| H11AA1SR2M | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.17V;反向电压:-;输出电流:50mA;接收端电压:100V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):-;隔离电压(rms):4.17kV; | | | 获取价格 |
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