| SMMBT5551LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V; | | | 获取价格 |
| FDN5618P | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):1.25A;功率(Pd):500mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):170mΩ@10V,1.25A; | | | 获取价格 |
| MMBT2369ALT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):15V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@100mA,1V; | | | 获取价格 |
| 50C02CH-TL-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):700mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300@10mA,2V; | | | 获取价格 |
| BC846CLT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):65V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):420@2mA,5V; | | | 获取价格 |
| NTR4101PT1H | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):1.8A;功率(Pd):420mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@1.6A,4.5V; | | | 获取价格 |
| NTRV4101PT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):1.8A;功率(Pd):420mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@1.6A,4.5V; | | | 获取价格 |
| MMBT3416LT3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,3mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):75@2mA,4.5V;特征频率(fT):-;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| SMMBT3906LT3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V; | | | 获取价格 |
| SMMBT2222ALT3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V; | | | 获取价格 |
| 2N7002LT7G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):115mA;功率(Pd):225mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω@500mA,10V; | | | 获取价格 |
| SBC846BLT3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):65V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| MMBFJ175LT3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | FET类型:P沟道;栅源击穿电压(V(BR)GSS):30V;饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):7mA@15V;漏源导通电阻(RDS(on)):125Ω;功率(Pd):225mW; | | | 获取价格 |
| MMBT5550LT3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):140V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):60@10mA,5V; | | | 获取价格 |
| MMBTA05LT3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,10mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| NTGS5120PT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):1.8A;功率(Pd):600mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):111mΩ@10V,2.9A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | | | 获取价格 |
| FDC855N | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):6.1A;功率(Pd):1.6W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):27mΩ@10V,6.1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | | | 获取价格 |
| FDC5612 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):4.3A;功率(Pd):1.6W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@4.3A,10V; | | | 获取价格 |
| MC74HC126ADR2G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:缓冲器，非反相;电源电压:2V~6V;输入类型:-;输出类型:三态;低电平输出电流(IOL):7.8mA;高电平输出电流(IOH):7.8mA;工作温度:-55℃~+125℃; | | | 获取价格 |
| MC74HCT125ADR2G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 电源电压:2V~6V;输入类型:-;输出类型:三态;灌电流(IOL):6mA;拉电流(IOH):6mA;工作温度:-55℃~+125℃; | | | 获取价格 |
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