| BCP53HX | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):725mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V; | | | 获取价格 |
| BZV85-C30,113 | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):-;稳压值(范围):28V~32V;精度:±5%;功率:1.3W;反向电流(Ir):50nA@21V;阻抗(Zzt):45Ω; | | | 获取价格 |
| BZV49-C47,115 | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):-;稳压值(范围):44V~50V;精度:±5%;功率:1W;反向电流(Ir):50nA@32.9V;阻抗(Zzt):50Ω; | | | 获取价格 |
| BZV49-C16,115 | Rubycon Corporation | 稳压值(标称值):16V;精度:±5%;功率:1W;反向电流(Ir):50nA@11.2V; | | | 获取价格 |
| BAV20,113 | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):250mA;正向压降(Vf):1.25V@200mA;反向电流(Ir):100nA@200V; | | | 获取价格 |
| BZV85-C27,113 | Rubycon Corporation | | | | 获取价格 |
| PBSS306NZ,135 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):5.1A;功率(Pd):700mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@2A,2V; | | | 获取价格 |
| BZV85-C3V6,133 | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):-;稳压值(范围):3.4V~3.8V;精度:±5%;功率:1W;反向电流(Ir):50uA@1V;阻抗(Zzt):15Ω; | | | 获取价格 |
| CJ78L05-G | Rubycon Corporation | 输出类型:固定;输出极性:正;输出通道数:1;最大输入电压:30V;输出电压:5V;压差:1.7V@(40mA);输出电流:100mA;电源纹波抑制比(PSRR):49dB@(120Hz); | | | 获取价格 |
| CT408B-800S | Rubycon Corporation | | | | 获取价格 |
| 2SB834 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.5W; | | | 获取价格 |
| TIP42C | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):6A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):400uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.5V@6A,600mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@3A,4V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| PDTC143ZU,115 | Rubycon Corporation | 1 NPN - Pre Biased 200mW 100mA 50V SOT-323(SC-70) Digital Transistors ROHS | | | 获取价格 |
| NX7002BKWX | Rubycon Corporation | 60V 330mA 2.2Ω@10V,200mA 265mW 1.6V@250uA 3pF@30V N Channel 23.6pF@30V 1nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-323-3 MOSFETs ROHS | | | 获取价格 |
| MMST2222A | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):200mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V; | | | 获取价格 |
| NHDTC143ZUF | Rubycon Corporation | NHDTC143ZU/SOT323/SC-70 | | | 获取价格 |
| CJW1012 | Rubycon Corporation | | | | 获取价格 |
| PDTA113ZU,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个PNP-预偏置;功率(Pd):200mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):1uA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,5V; | | | 获取价格 |
| PDTC143TU,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):200mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):1uA;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):100mV@5mA,250uA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,5V; | | | 获取价格 |
| PDTC143XU,115 | Rubycon Corporation | NPN,Vceo=50V,Ic=100mA | | | 获取价格 |
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