| BZV49-C12,115 | Rubycon Corporation | 稳压值(标称值):12V;精度:±5%;功率:1W;反向电流(Ir):100nA@8V; | | | 获取价格 |
| CJ431 ±0.5% | Rubycon Corporation | 输出类型:可调;输出电压:2.5V~36V;输出电流:100mA;最小阴极电流调节:1mA;工作温度:-25℃~+85℃@(TA); | | | 获取价格 |
| CJ9107B50T5 | Rubycon Corporation | | | | 获取价格 |
| CJ9221T5 | Rubycon Corporation | | | | 获取价格 |
| 2SC2073 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):150V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.5V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@500mA,10V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 2SD880 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@3A,300mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@500mA,5V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| MJE3055 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):10A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):1mA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):8V@10A,3.3A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@4A,4V;特征频率(fT):2MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BT136 | Rubycon Corporation | 可控硅类型:双向可控硅;断态峰值电压(Vdrm):600V;通态RMS电流(It(rms)):6A;浪涌电流(Itsm@f):25A@25ms;门极平均耗散功率(PG(AV)):500mW;通态峰值电压(Vtm):1.7V;门极触发电流(Igt):10mA;门极触发电压(Vgt):1.45V;保持电流(Ih):20mA;工作温度:-40℃~+125℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| PSMN2R0-30PL,127 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):211W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.1mΩ@10V,15A; | | | 获取价格 |
| DTC114YUA | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):200mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V; | | | 获取价格 |
| PDTA114EU,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个PNP-预偏置;功率(Pd):200mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V; | | | 获取价格 |
| PDTC114EU,115 | Rubycon Corporation | 1 NPN - Pre Biased 200mW 100mA 50V SOT-323-3 Digital Transistors ROHS | | | 获取价格 |
| CJ3134KW-HAF | Rubycon Corporation | | | | 获取价格 |
| DTC114TUA | Rubycon Corporation | | | | 获取价格 |
| DTC114WUA | Rubycon Corporation | | | | 获取价格 |
| DTC124EUA | Rubycon Corporation | | | | 获取价格 |
| PDTD113ZUX | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):425mW;集电极电流(Ic):-;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):100nA;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):100mV@50mA,2.5mA;最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo):800mV@20mA,0.3V;最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc):600mV@100uA,5V;输出电压(VO(on)@Io/Ii):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):70@50m | | | 获取价格 |
| PDTA114YU,115 | Rubycon Corporation | | | | 获取价格 |
| PMST3906,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BC857W | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):150mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):220@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
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