| DSS34 | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):550mV@3A;反向电流(Ir):500uA@40V; | | | 获取价格 |
| BUK9612-55B,118 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):75A;功率(Pd):157W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,25A; | | | 获取价格 |
| B772M | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.25W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1A,2V;特征频率(fT):80MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 2SD1760 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,3V;特征频率(fT):90MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 2SC3303 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):1μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@3A,150mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@1A,1V;特征频率(fT):20MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 2SD1899 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):10μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@1.5A,150mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@600mA,2V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 2SA1012 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):1.25W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@3A,150mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@1A,1V;特征频率(fT):60MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 2SD1802 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,2V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| CJU80N03 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | | | 获取价格 |
| KTA1668 | Rubycon Corporation | | | | 获取价格 |
| BCX56,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 2SC4548 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@50mA,10V;特征频率(fT):70MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 2SB1189 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):700mA;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):500nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@100mA,3V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BCX52-16,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):145MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BCX56-10,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BCX51-16,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):145MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| PXT3904 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V;特征频率(fT):300MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BSS192,115 | Rubycon Corporation | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):240V;连续漏极电流(Id):200mA;功率(Pd):560mW；12.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12Ω@10V,200mA; | | | 获取价格 |
| BCX55-10,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BCX51-10,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V; | | | 获取价格 |
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