| 2SD1815 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):1μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@1.5A,150mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@500mA,5V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 2SA1012B | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):1.25W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V; | | | 获取价格 |
| MJD32C | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):15W; | | | 获取价格 |
| 2SB1184 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,3V;特征频率(fT):70MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| PBSS5250X,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):1W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1A,2V; | | | 获取价格 |
| BSR41,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.35W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 2SD1664 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):32V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):500nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@100mA,3V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 2SA1797 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):350mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@500mA,2V;特征频率(fT):200MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BC869,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):85@500mA,1V; | | | 获取价格 |
| PBSS4330X,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.4W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):270@1A,2V; | | | 获取价格 |
| 2SD965A | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):750mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@3A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):340@500mA,2V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 2SC4115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):270@100mA,2V;特征频率(fT):290MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BCX51,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V; | | | 获取价格 |
| PBSS5330X,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.4W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):320mV@3A,300mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):175@1A,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BCX52,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V;特征频率(fT):145MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| PXT2907A,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):1.1W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V; | | | 获取价格 |
| BF623,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):250V;集电极电流(Ic):50mA;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):10nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):800mV@30mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):50@25mA,20V;特征频率(fT):60MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| PBSS305PX,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):600mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@2A,2V; | | | 获取价格 |
| BF621,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):50mA;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):10nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):800mV@30mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):50@25mA,20V;特征频率(fT):60MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BCX51-10TF | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V; | | | 获取价格 |
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