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| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| BCM856BSF | Rubycon Corporation | 晶体管类型:2个PNP;集射极击穿电压(Vceo):65V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):175MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCM53DSX | Rubycon Corporation | 晶体管类型:2个PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):400mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V;特征频率(fT):140MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC54-16PA,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):420mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2PA1774QMB,315 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@1mA,6V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2PB709ASW,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):10nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@100mA,10mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,10V;特征频率(fT):80MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC68PASX | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):420mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):85@500mA,1V;特征频率(fT):170MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2PD601ASW,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):10nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,10mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,10V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2PD1820AR,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):10nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@300mA,30mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@150mA,10V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2PC4081Q,135 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):150mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@1mA,6V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCP56-10,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):650mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FMMT495QTA | Diodes Incorporated | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):150V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@250mA,10V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD1805F-TL-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):220mV@3A,60mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@500mA,2V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SB1201T-TL-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):150mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,2V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC856BDW1T3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:2个PNP;集射极击穿电压(Vceo):65V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):650mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SA1593S-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):130mV@1A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):140@100mA,5V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC847CDXV6T1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:2个NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):520@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC6017-TL-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):10A;功率(Pd):950mW;集电极截止电流(Icbo):10μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):180mV@5A,250mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1A,2V;特征频率(fT):200MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FMB2222A | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:2个NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):700mW;集电极截止电流(Icbo):10nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V;特征频率(fT):300MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FJE5304DTU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN(集电极发射极结二极管);集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):30W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.5V@2.5A,500mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):8@2A,5V;特征频率(fT):30MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC5569-TD-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):7A;功率(Pd):1.3W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):240mV@2A,40mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@500mA,2V;特征频率(fT):290MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
