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AMIS-49200-XTDMurata Manufacturing Co., Ltd.Media Access Unit- Mau Transceiver, Lqfp-44; Ic Interface Type:-; No. Of Tx Buffers:1; No. Of Rx Buffers:1; Supply Voltage Min:2.7V; Supply Voltage Max:5.5V; Interface Case Style:lqfp; No. Of Pins:44Pins; Product Range:- Rohs Compliant: Yes获取价格
IXFA80N25X3Littelfuse Inc.Mosfet, N-Ch, 250V, 80A, To-263; Channel Type:n Channel; Drain Source Voltage Vds:250V; Continuous Drain Current Id:80A; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4.5V Rohs Compliant: Yes获取价格
IXTA52P10PLittelfuse Inc.Mosfet, P-Ch, 100V, 52A, To-263Aa; Channel Type:p Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:52A; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes获取价格
LQP02TQ3N9B02DMurata Manufacturing Co., Ltd.Inductor, 3.9Nh, 0.27A, 01005; Inductance:3.9Nh; Product Range:lqp02Tq_02 Series; Dc Current Rating:270Ma; High Frequency Inductor Case:01005 [0402 Metric]; Inductor Construction:thin Film; Dc Resistance Max:1Ohm; Inductance Rohs Compliant: Yes获取价格
KL817S1-C-TU-FKinglight晶体管光耦(DC),电流传输比200~400%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率200mW,上升时间4us,下降时间3us,工作温度-55~+110℃,SMD4(尺寸6.5x4.59x3.5mm),S1TU-铁线获取价格
KL817-A-FKinglight晶体管光耦(DC),电流传输比80~160%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率200mW,上升时间4us,下降时间3us,工作温度-55~+110℃,DIP4(尺寸6.5x4.59x3.5mm),直脚-铁线获取价格
KL817M-B-FKinglight晶体管光耦(DC),电流传输比130~260%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率200mW,上升时间4us,下降时间3us,工作温度-55~+110℃,DIP4(尺寸6.5x4.59x3.5mm),M脚-铁线获取价格
KL817-C-FKinglight晶体管光耦(DC),电流传输比200~400%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率200mW,上升时间4us,下降时间3us,工作温度-55~+110℃,DIP4(尺寸6.5x4.59x3.5mm),M脚-铁线获取价格
KL817S1-C-TUKinglight晶体管光耦(DC),电流传输比200~400%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率200mW,上升时间4us,下降时间3us,工作温度-55~+110℃,SMD4(尺寸6.5x4.59x3.5mm),S1TU-铜线获取价格
KL817S1-B-TUKinglight晶体管光耦(DC),电流传输比130~260%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率200mW,上升时间4us,下降时间3us,工作温度-55~+110℃,SMD4(尺寸6.5x4.59x3.5mm),S1TU-铜线获取价格
KL816M-CKinglight晶体管光耦(DC),电流传输比200~400%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率200mW,上升时间4us,下降时间3us,工作温度-55~+110℃,DIP4(尺寸6.5x4.59x3.5mm),M脚-铜线获取价格
KL816-DKinglight晶体管光耦(DC),电流传输比300~600%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率200mW,上升时间4us,下降时间3us,工作温度-55~+110℃,DIP4(尺寸6.5x4.59x3.5mm),直脚-铜线获取价格
KL816S1-D-TUKinglight晶体管光耦(DC),电流传输比300~600%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率200mW,上升时间4us,下降时间3us,工作温度-55~+110℃,SMD4(尺寸6.5x4.59x3.5mm),S1TU-铜线获取价格
KL816M-DKinglight晶体管光耦(DC),电流传输比300~600%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率200mW,上升时间4us,下降时间3us,工作温度-55~+110℃,DIP4(尺寸6.5x4.59x3.5mm),M脚-铜线获取价格
KL354N-A-TAKinglight晶体管光耦(AC),电流传输比50~150%,正/反向电压1.2V,正/反向电流20uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压3750V,总消耗功率200mW,工作温度-55~+100℃,SOP4(尺寸4.4x4.0x2.0mm),TA-铜线获取价格
KL3083Kinglight可控硅光耦,触发电流5MA,正向电压1.5V,反向电流10uA,Min断态输出端电压:800V,Max断态峰值电流500nA,抑制电压20V,隔离电压5000V,总消耗功率300mW,工作温度-55~+100℃,DIP6(尺寸7.1x6.48x3.5mm),直脚-铜线获取价格
KL3081MKinglight可控硅光耦,触发电流15MA,正向电压1.5V,反向电流10uA,Min断态输出端电压:800V,Max断态峰值电流500nA,抑制电压20V,隔离电压5000V,总消耗功率300mW,工作温度-55~+100℃,DIP6(尺寸7.1x6.48x3.5mm),M脚-铜线获取价格
KL3062Kinglight可控硅光耦,触发电流10MA,正向电压1.5V,反向电流10uA,Min断态输出端电压:600V,Max断态峰值电流500nA,抑制电压20V,隔离电压5000V,总消耗功率300mW,工作温度-55~+100℃,DIP6(尺寸7.1x6.48x3.5mm),直脚-铜线获取价格
KL3063MKinglight可控硅光耦,触发电流5MA,正向电压1.5V,反向电流10uA,Min断态输出端电压:600V,Max断态峰值电流500nA,抑制电压20V,隔离电压5000V,总消耗功率300mW,工作温度-55~+100℃,DIP6(尺寸7.1x6.48x3.5mm),M脚-铜线获取价格
KL3053S1-TAKinglight可控硅光耦,触发电流5MA,正向电压1.5V,反向电流10uA,Min断态输出端电压:600V,Max断态峰值电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率330mW,工作温度-55~+100℃,SMD6(尺寸7.1x6.48x3.5mm),S1TA-铜线获取价格