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AFGHL40T65SPDMurata Manufacturing Co., Ltd.IGBT类型:沟槽场截止;功率(Pd):267W;集射极击穿电压(Vces):650V;集电极电流(Ic):80A;集电极脉冲电流(Icm):120A;栅极阈值电压(Vge(th)@Ic):-;输入电容(Cies@Vce):-;导通损耗(Eon):1.16mJ;关断损耗(Eoff):0.27mJ;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);获取价格