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序号器件名产品描述数据手册生厂商
12SB804晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压...下载Taiwan shike Electronics co.,ltd
22SC2883Y晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和...下载Taiwan shike Electronics co.,ltd
32SC5053R晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和...下载Taiwan shike Electronics co.,ltd
42SC3647T-TD-E晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100m...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
52SK2615(TE12L.F)类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):230mΩ@10V,1A;...下载TOSHIBA CORPORATION
62SC4379YU晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压...下载ST(先科)
72SCR375PT100R晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电...下载Rohm Semiconductor
82N7002CK,215类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):300mA;功率(Pd):350mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.1Ω@10V,...下载Rubycon Corporation
92SC3906KFRAT146晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):50mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):500nA;集电极-发...下载Rohm Semiconductor
102N7002ET1G类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):260mA;功率(Pd):300mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
112V7002KT1G类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):320mA;功率(Pd):300mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.6Ω@10V,...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
122SK3576-T1B-ATMOSFET N-CH 20V SC-96 SOT-23下载Renesas Electronics America
132N5550TFR晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):140V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):60@10...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
142EZ13D5二极管 - 齐纳 13 V 2 W ±5% 通孔 DO-204AL(DO-41)下载Microchip Technology Inc.
152EZ20_R2_00001SILICON ZENER DIODE下载PANJIT SEMI CONDUCTOR
162EZ36_R2_00001SILICON ZENER DIODE下载PANJIT SEMI CONDUCTOR
172EZ22_R2_00001二极管 - 齐纳 22 V 2 W ±5% 通孔 DO-15下载PANJIT SEMI CONDUCTOR
182SB834晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.5W;下载Rubycon Corporation
192N60L-TA3-T类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):54W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,2A;阈值电...下载Unisonic Technology Co., Ltd.
202N7002BKW,115类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):310mA;功率(Pd):275mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.6Ω@10V,...下载Rubycon Corporation