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序号器件名产品描述数据手册生厂商
1STF-508-10(000)706104116 弯PCB端子座;OQ-5.08-10P-90D/W/F;无下载JOINTLEAN
2ST1LD-350-18(000)702676262 弯PCB端子座;KE-3.5-2×9P-90D;下载JOINTLEAN
3ST1LD-350-32(000)702676269 弯PCB端子座;KE-3.5-2×16P-90D;下载JOINTLEAN
4SL10N06A类型 N VDSS(V) 60 ID@TC=82?C(A) 10 PD@TC=82?C(W) 1.2 VGS(V) ±20 RDS(on)(m?)Max.@TC=2...下载SLKORMICRO Electronics Co., Ltd
5STU-1714-1912USB连接器下载Cosantra
6SQM3WJ0B104绕线电阻 插件,P=5mm 100KΩ 3W ±5% ±300ppm/℃下载Thunder Precision Resistor Co., Ltd.
7SQM5WJ0B100绕线电阻 插件,P=5mm 10Ω 5W ±5% ±300ppm/℃下载Thunder Precision Resistor Co., Ltd.
8STB30NF10T4-VB类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):45A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,45A;阈...下载VBsemi Electronics Co. Ltd
9SMCJ440A极性:单向;反向截止电压(Vrwm):440V;击穿电压:492V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:2.1A;最大钳位电压:...下载Zhide Electronic
10SI2308ASOT-23MOSFETs N沟道 60V 3A 95mΩ@4.5V SOT-23下载Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd.
11SS8550通用三极管 PNP SOT23-3 VCEO=25V Ic=1.5A下载Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd.
12SSTA28MGT116下载Rohm Semiconductor
13S9018晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):15V;集电极电流(Ic):50mA;功率(Pd):200mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):105@1mA...下载DOESHARE
14S9014晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;下载DOESHARE
15SI2309CDS-T1-GE3-VB类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):5.2A;功率(Pd):27W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,3.2...下载VBsemi Electronics Co. Ltd
16SMMBTA06LT1G晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
17SMMBT4401LT1G晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@15...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
18SMMBT2907ALT1G晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@15...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
19SMMBTA56LT1G晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
20ST3400S23RG类型:N;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):5.8A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;下载STANSON