找到“b0922a5020a00”相关的规格书共17,774个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| FNR5020S180MT | Changjiang Microelectronics Technology Co., Ltd. | 5.0*5.0*2.0(5020) 电感值：18μH 精度：±20% 饱和电流（isat）：1.3A 温升电流（irms）：1.2A 直流电阻(DCR)：200mΩ | 获取价格 | ||
| FNR5020S121MT | Changjiang Microelectronics Technology Co., Ltd. | 5.0*5.0*2.0(5020) 电感值：120µH 精度：±20% 饱和电流（isat）：0.53A 温升电流（irms）：0.5A 直流电阻(DCR)：1350mΩ | 获取价格 | ||
| FNR5020S201MT | Changjiang Microelectronics Technology Co., Ltd. | 5.0*5.0*2.0(5020) 电感值：200µH 精度：±20% 饱和电流（isat）：0.33A 温升电流（irms）：0.45A 直流电阻(DCR)：2000mΩ | 获取价格 | ||
| FNR5020S470MT | Changjiang Microelectronics Technology Co., Ltd. | 5.0*5.0*2.0(5020) 电感值：47μH 精度：±20% 饱和电流（isat）：0.84A 温升电流（irms）：0.84A 直流电阻(DCR)：523mΩ | 获取价格 | ||
| FNR5020S220MT | Changjiang Microelectronics Technology Co., Ltd. | 5.0*5.0*2.0(5020) 电感值：22μH 精度：±20% 饱和电流（isat）：1.2A 温升电流（irms）：1.2A 直流电阻(DCR)：226mΩ | 获取价格 | ||
| FNR5020S120MT | Changjiang Microelectronics Technology Co., Ltd. | 5.0*5.0*2.0(5020) 电感值：12μH 精度：±20% 饱和电流（isat）：1.6A 温升电流（irms）：1.5A 直流电阻(DCR)：140mΩ | 获取价格 | ||
| FNR5020S820MT | Changjiang Microelectronics Technology Co., Ltd. | 5.0*5.0*2.0(5020) 电感值：82µH 精度：±20% 饱和电流（isat）：0.75A 温升电流（irms）：0.6A 直流电阻(DCR)：965mΩ | 获取价格 | ||
| FNR5020SR47NT | Changjiang Microelectronics Technology Co., Ltd. | 5.0*5.0*2.0(5020) 电感值：0.47μH 精度：±30% 饱和电流（isat）：6.7A 温升电流（irms）：5A 直流电阻(DCR)：13mΩ | 获取价格 | ||
| FNR5020S5R6MT | Changjiang Microelectronics Technology Co., Ltd. | 5.0*5.0*2.0(5020) 电感值：5.6μH 精度：±20% 饱和电流（isat）：2.5A 温升电流（irms）：2.2A 直流电阻(DCR)：64mΩ | 获取价格 | ||
| FNR5020SR75NT | Changjiang Microelectronics Technology Co., Ltd. | 5.0*5.0*2.0(5020) 电感值：0.75μH 精度：±30% 饱和电流（isat）：6A 温升电流（irms）：4.4A 直流电阻(DCR)：17mΩ | 获取价格 | ||
| M36W0R5020T0ZAQT | STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics] | M36W0R5020T0ZAQT - 32 Mbit (2Mb x16, Multiple Bank, Burst) Flash Memory and 4 Mbit SRAM, 1.8V Supply Multi-Chip Package - STMicroelectronics | 获取价格 | ||
| M36W0R5020T0ZAQE | STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics] | M36W0R5020T0ZAQE - 32 Mbit (2Mb x16, Multiple Bank, Burst) Flash Memory and 4 Mbit SRAM, 1.8V Supply Multi-Chip Package - STMicroelectronics | 获取价格 | ||
| FNR5020S1R0NT | Changjiang Microelectronics Technology Co., Ltd. | 5.0*5.0*2.0(5020) 电感值：1.0µH 精度：±30% 饱和电流（isat）：5A 温升电流（irms）：4.1A 直流电阻(DCR)：20mΩ | 获取价格 | ||
| FNR5020S1R2NT | Changjiang Microelectronics Technology Co., Ltd. | 5.0*5.0*2.0(5020) 电感值：1.2µH 精度：±30% 饱和电流（isat）：4.9A 温升电流（irms）：3.9A 直流电阻(DCR)：22mΩ | 获取价格 | ||
| FNR5020S680MT | Changjiang Microelectronics Technology Co., Ltd. | 5.0*5.0*2.0(5020) 电感值：68μH 精度：±20% 饱和电流（isat）：0.7A 温升电流（irms）：0.7A 直流电阻(DCR)：740mΩ | 获取价格 | ||
| FNR5020S100MT | Changjiang Microelectronics Technology Co., Ltd. | 5.0*5.0*2.0(5020) 电感值：10μH 精度：±20% 饱和电流（isat）：1.8A 温升电流（irms）：1.7A 直流电阻(DCR)：110mΩ | 获取价格 | ||
| FNR5020S6R8MT | Changjiang Microelectronics Technology Co., Ltd. | 5.0*5.0*2.0(5020) 电感值：6.8μH 精度：±20% 饱和电流（isat）：2.2A 温升电流（irms）：1.9A 直流电阻(DCR)：83mΩ | 获取价格 | ||
| FNR5020SR24NT | Changjiang Microelectronics Technology Co., Ltd. | 5.0*5.0*2.0(5020) 电感值：0.24μH 精度：±30% 饱和电流（isat）：10A 温升电流（irms）：6A 直流电阻(DCR)：9mΩ | 获取价格 | ||
| FNR5020S9R1MT | Changjiang Microelectronics Technology Co., Ltd. | 5.0*5.0*2.0(5020) 电感值：9.1μH 精度：±20% 饱和电流（isat）：1.8A 温升电流（irms）：1.7A 直流电阻(DCR)：110mΩ | 获取价格 | ||
| APT5020BLC | ADPOW[AdvancedPowerTechnology] | APT5020BLC - Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. - Advanced Power Technology | 获取价格 |
