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| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| MJD32CT4G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.2V@3A,375mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):10@3A,4V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MJD31CT4G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.2V@3A,375mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):10@3A,4V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| TIP32CL-TA3-T | Unisonic Technology Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.2V@3A,375mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):10@3A,4V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FQA170N06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):170A;功率(Pd):375W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5Ω@10V,85A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):220nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):7.2nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):620pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG065N15NS1B6 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):165A;功率(Pd):375W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,100A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.2V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):96nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):6.646nF@75V;反向传输电容(Crss@Vds):88pF@75V;工作温度:+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FQA160N08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):160A;功率(Pd):375W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.6mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):225nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):6.1nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):530pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 |
