找到“l640mt12nf”相关的规格书共484,366个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| 531AA640M000DG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 频率:640MHz;工作电压:3.3V;输出模式:LVPECL; | 获取价格 | ||
| 23330C | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 33 µH 无屏蔽 绕线 电感器 640 mA 497 毫欧最大 非标准 | 获取价格 | ||
| B82472N6154M000 | TDK Corporation | 150 µH 屏蔽 鼓芯，绕线式 电感器 640 mA 860 毫欧最大 非标准 | 获取价格 | ||
| NS10145T331MNVV | TAIYO YUDEN CO., LTD. | 330 µH 屏蔽 绕线 电感器 640 mA 840 毫欧最大 非标准 | 获取价格 | ||
| NS10145T331MNA | TAIYO YUDEN CO., LTD. | 330 µH 屏蔽 鼓芯，绕线式 电感器 640 mA 840 毫欧最大 非标准 | 获取价格 | ||
| ELL-4GM6R8N | Panasonic Corporation | 6.8 µH 屏蔽 绕线 电感器 640 mA 180 毫欧 非标准 | 获取价格 | ||
| PM5022S-681M | Bourns Inc. | 680 µH 屏蔽 鼓芯，绕线式 电感器 640 mA 1.4 欧姆最大 非标准 | 获取价格 | ||
| UP0.4UC-470-R | Eaton | 47 µH 无屏蔽 绕线 电感器 500 mA 640 毫欧最大 非标准 | 获取价格 | ||
| SP1812-153H | API Delevan Inc. | 15 µH 屏蔽 电感器 640 mA 490 毫欧最大 非标准 | 获取价格 | ||
| SP1812R-153G | API Delevan Inc. | 15 µH 屏蔽 电感器 640 mA 490 毫欧最大 非标准 | 获取价格 | ||
| R5F5651EDDBP%2320 | Renesas Electronics America | 32BIT MCU RX651 2MB 640KB 64LFBG | 获取价格 | ||
| PMV164ENER | Nexperia | 表面贴装型 N 通道 60 V 1.6A（Ta） 640mW（Ta），5.8W（Tc） TO-236AB | 获取价格 | ||
| E36D251LPN641QAB7M | Nippon Chemicon | 640 µF 250 V 铝电解电容器 径向，Can - 螺丝端子 85°C 时为 2000 小时 | 获取价格 | ||
| E36D251LPN641QAB7N | Nippon Chemicon | 640 µF 250 V 铝电解电容器 径向，Can - 螺丝端子 85°C 时为 2000 小时 | 获取价格 | ||
| B82412A3150M | TDK Corporation | 15 nH 无屏蔽 鼓芯，绕线式 电感器 640 mA 120 毫欧最大 2-SMD | 获取价格 | ||
| VLS201610ET-4R7M | TDK Corporation | 固定电感器 Nonstandard 4.7µH ±20% 640mA 554mΩ | 获取价格 | ||
| APED3820SRC-F01 | Kingbright Company LLC | Red 640nm LED Indication - Discrete 1.85V 2-SMD, No Lead | 获取价格 | ||
| LCMXO2-1200HC-6TG144IR1 | Lattice Semiconductor Corporation | IC CPLD 640MC 6.72NS 144TQFP | 获取价格 | ||
| LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1 | Lattice Semiconductor Corporation | IC CPLD 640MC 10.21NS 100TQFP | 获取价格 | ||
| BFY640B | INFINEON[InfineonTechnologiesAG] | BFY640B - HiRel NPN Silicon Germanium RF Transistor - Infineon Technologies AG | 获取价格 |
