找到“mv8733”相关的规格书共6,076个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| BAS 125-05W H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):25V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):800mV@35mA;反向电流(Ir):150nA@25V; | 获取价格 | ||
| BAS 140W E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):120mA;正向压降(Vf):720mV@40mA;反向电流(Ir):1uA@30V; | 获取价格 | ||
| BAT 15-02EL E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):4V;平均整流电流(Io):110mA;正向压降(Vf):350mV@10mA;反向电流(Ir):5uA@1V; | 获取价格 | ||
| BAS 40-04 E6433 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对串联式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):120mA;正向压降(Vf):720mV@40A;反向电流(Ir):1uA@30V; | 获取价格 | ||
| BAT 15-099 E6433 | Infineon Technologies | 二极管配置:2个独立式;直流反向耐压(Vr):4V;平均整流电流(Io):110mA;正向压降(Vf):350mV@10mA;反向电流(Ir):5uA@1V; | 获取价格 | ||
| BAR 63-05 E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):50V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):950mV@100mA;反向电流(Ir):10nA@35V; | 获取价格 | ||
| BAR 63-05W H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):50V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):950mV@100mA;反向电流(Ir):10nA@35V; | 获取价格 | ||
| BAS 52-02V H6433 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):45V;平均整流电流(Io):750mA;正向压降(Vf):500mV@200mA;反向电流(Ir):1uA@10V; | 获取价格 | ||
| BAR 63-06 E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对共阳极;直流反向耐压(Vr):50V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):950mV@100mA;反向电流(Ir):10nA@35V; | 获取价格 | ||
| 74AUP1G79GV,125 | Rubycon Corporation | 每个元件位数:1;类型:D-型;时钟频率:309MHz;最大传播延迟:5.8ns@3.3V,30pF;电源电压:800mV~3.6V;静态电流(Iq):500nA; | 获取价格 | ||
| ES1D-A | FORMOSA MICROSEMI CO. LTD | 正向压降(Vf):950mV @ 1A;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):1A;反向恢复时间(trr):35ns;二极管配置:-; | 获取价格 | ||
| 4N37VM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.18V;反向电压:6V;输出电流:-;接收端电压:30V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):300mV@0.5mA,10mA;隔离电压(rms):4.17kV; | 获取价格 | ||
| 4N26TVM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.18V;反向电压:6V;输出电流:-;接收端电压:30V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):500mV@2mA,50mA;隔离电压(rms):4.17kV; | 获取价格 | ||
| 4N25TVM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.18V;反向电压:6V;输出电流:-;接收端电压:30V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):500mV@2mA,50mA;隔离电压(rms):4.17kV; | 获取价格 | ||
| 4N37SM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.18V;反向电压:6V;输出电流:-;接收端电压:30V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):300mV@0.5mA,10mA;隔离电压(rms):4.17kV; | 获取价格 | ||
| H11AV1VM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.18V;反向电压:6V;输出电流:-;接收端电压:70V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):400mV@2mA,20mA;隔离电压(rms):4.17kV; | 获取价格 | ||
| SD103AX | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):350mA;正向压降(Vf):600mV@200mA;反向电流(Ir):5uA@30V; | 获取价格 | ||
| PDTC123JT,215 | Rubycon Corporation | 100@10mA,5V 100mV@5mA,250uA 1 NPN - Pre Biased 250mW 100mA 50V 1uA SOT-23 Digital Transistors ROHS | 获取价格 | ||
| DS38W | Jingdao | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):700mV@3A;反向电流(Ir):300uA@80V; | 获取价格 | ||
| BAT 64-02V H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):250mA;正向压降(Vf):570mV@100mA;反向电流(Ir):2uA@30V; | 获取价格 |
