找到“mv8733”相关的规格书共6,076个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
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| 2SA1552T-TL-H | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):130mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,5V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N4918G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):30W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@1A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@500mA,1V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BD437G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):36W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):800mV@3A,300mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):85@500mA,1V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N4921G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):30W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@1A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@500mA,1V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N4919G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):30W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@1A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@500mA,1V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDZ1416NZ | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:双N沟道(半桥);漏源电压(Vdss):24V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):1.7W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@4.5V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):900mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):12nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.14nF@12V;反向传输电容(Crss@Vds):129pF@12V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| C8051F930-G-GM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | CPU内核:51系列;CPU最大主频:25MHz;工作电压范围:900mV~3.6V;内部振荡器:有;程序 FLASH容量:64K@x8bit;RAM总容量:4.25KB;EEPROM/数据 FLASH容量:-;GPIO端口数量:24;ADC(单元数/通道数/位数):1@x23ch/10bit;外设/功能/协议栈:欠压检测/复位；温度传感器；看门狗；POR；PWM;工作温度范围:-40℃~+85℃; | 获取价格 | ||
| BC846ALT3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):65V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC4135S-TL-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):130mV@1A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):140@100mA,5V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SA2222SG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):10A;功率(Pd):25W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@6A,300mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):150@270mA,2V;特征频率(fT):230MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SA1552S-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):130mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):140@10mA,5V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SA1552T-TL-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):130mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,5V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| LM29152RS | HTC KOREA | LM29150、LM29151和LM29152是高电流、高精度、低压差稳压器。使用PNP通过元件的工艺，这些调节器具有350mV（满载）压降电压和极低的接地电流。这些器件还可应用于低电流、低压降的关键系统，在这些系统中，微小的压降电压和接地电流值是重要的属性。LM29150、LM29151和LM29152可完全防止过电流故障、反向输入极性、反向引线插入、超温操作以及正负瞬态电压尖峰。LM29151具有逻辑电平启用控制和一个错误标志，当输出超出规定时，该标志会发出信号。在LM29151和LM29152上，如 | 获取价格 | ||
| PDTD114EUX | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):425mW;集电极电流(Ic):-;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):100nA;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):100mV@50mA,2.5mA;最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo):1.9V@20mA,0.3V;最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc):1V@100uA,5V;输出电压(VO(on)@Io/Ii):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V | 获取价格 | ||
| NCP3066DR2G | ON Semiconductor | NCP3066 是一款单片降压升压逆变开关稳压器，用于为高亮度 LED 提供恒定电流供电。该器件具有 235 mV（标称值）的极低反馈电压，用于调节 LED 串的平均电流。另外，NCP3066 具有很宽的输入电压范围，最高可达 40 V，因此可在照明应用常用的 12 Vac 或 12 Vdc 电源下运行，也可在充电电池等无调节电源下运行。NCP3066 开关稳压器可配置在步降（降压）、步升（升压）和反向电压拓扑结构中，外部部件数量极少。提供 NCV3066 汽车版本，与 NCP3065 一样不带开关功能。 | 获取价格 | ||
| NB7V586MMNR4G | ON Semiconductor | NB7V586M 是一款 1:6 CML 时钟/数据分发芯片，具有 2:1 时钟/数据输入多工器，带输入选择引脚。INx/INxb 输入包含内部 50 Ω 端接电阻，并接受差分 LVPECL、CML 或 LVDS 逻辑电平。INx/INxb 输入和核芯逻辑由 1.8 V 电源供电。NB7V586M 产生时钟或数据的六个相同的差分 CML 输出副本。输出配置为三组两个差分对。每组（或所有三组）均能通过 1.8 V 或 1.2 V 电源的任意组合供电。当外部接收器以 50 Ω 电阻端接到 VCCOx 时，16 mA 差分 CML 输出结构提供匹配的内部 50 Ω 源端接和 400 mV 输出摆幅。1:6 扇出设计针对低输出歪曲率和最小抖动而优化，适用于 SONET、GigE、光纤信道、背面电极，以及运行典型值高达 6 GHz 或 10 Gb/s 的其他时钟/数据分发应用。VREFAC 参考输出可用于重新偏置电容器耦合的差分和单端输入信号。NB7V586M 采用小巧的 5mm x5mm 32 引脚 QFN 无铅封装。 | 获取价格 |
