物料型号:ASDM20N20KQ
器件简介:20V N-Channel MOSFET,具有超低导通电阻(RDS(on)),高功率和电流处理能力,符合RoHS标准,是无铅产品。
引脚分配:文档中提供了TO-252-2L的顶视图和原理图,但未明确列出各引脚的功能。
参数特性:
- 漏源电压(BVDSS):20V
- 导通电阻(RDS(on).Typ.@VGS=4.5V):20毫欧
- 漏极电流(ID):20A
功能详解:
- 该MOSFET适用于负载开关、PWM应用和电源管理。
- 绝对最大额定值包括漏源电压、栅源电压、连续漏极电流、脉冲漏极电流、最大功耗、功耗随温度的降低率、结温和存储温度范围。
- 热特性包括结到外壳的热阻和结到环境的热阻。
应用信息:适用于负载开关、PWM应用和电源管理。
封装信息:TO-252-2L封装,2500个/卷的胶带和卷轴包装。
电气特性:详细列出了在25摄氏度下,MOSFET的关断特性、导通特性、动态特性和开关特性,包括漏源击穿电压、栅极阈值电压、导通电阻、输入电容、输出电容、反向传输电容、开通延迟时间、开通上升时间、关断延迟时间、关断下降时间、总栅极电荷等。