| 1 | MDD15N10D | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):15A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V; | 下载 | Microdiode Electronics (Shenzhen)Co.,Ltd |
| 2 | MS12N100FE | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):1kV;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):272W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.18Ω@10V,6A... | 下载 | MASPOWER |
| 3 | MOT100N02D | | 下载 | MOT |
| 4 | MDT30N06L | | 下载 | MINOS |
| 5 | MUP-C719-2 | | 下载 | SHENZHEN MUP INDUSTRIAL CO.LTD |
| 6 | MOT50N06D | 电压VDSS60V,导通电阻Rds18毫欧，电流ID50A | 下载 | MOT |
| 7 | MOT5N50D | 电压VDSS500V,导通电阻Rds1.5欧，电荷量Qg24nC，电流ID5A | 下载 | MOT |
| 8 | MOT4N65D | 电压VDSS650V,导通电阻Rds2.8欧，电荷量Qg25nC，电流ID4A | 下载 | MOT |
| 9 | MOT2N65D | 电压VDSS650V,导通电阻Rds5欧，电荷量Qg14nC，电流ID2A | 下载 | MOT |
| 10 | MCT1117C-3.3-TP | 线性稳压器/LDO SOT223-3 | 下载 | Micro Commercial Components |
| 11 | MAX9060EUK+T | IC COMP SINGLE LP SOT23-5 | 下载 | Analog Devices Inc. |
| 12 | MD7218C36YA2 | 1.6uA静态功耗,18V耐压,1A电流输出,高瞬态 | 下载 | Shanghai Mingda Microelectronics Co., Ltd. |
| 13 | MT9222WT-50BR5 | | 下载 | Magn Tek |
| 14 | MT9222WT-30BR5 | | 下载 | Magn Tek |
| 15 | MJ10005 | TRANS 2 NPN DARL 400V 20A TO3 | 下载 | Solid State Inc. |
| 16 | MJD31C | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):20μA;集电极-发射极饱和电... | 下载 | Rubycon Corporation |
| 17 | MJD32CT4G | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(V... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 18 | MJD44H11G | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):8A;功率(Pd):1.75W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 19 | MJD42CT4G | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):6A;功率(Pd):1.75W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@3A,4V... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 20 | MJD350T4G | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):15W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@50mA... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
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