| 1 | SE8090G | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):90A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,40... | 下载 | SINO-IC |
| 2 | STFI10LN80K5 | MOSFET N-CH 800V 8A I2PAKFP | 下载 | ST |
| 3 | SPD04P10PLG | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):4.2A;功率(Pd):38W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):850mΩ@10V,3... | 下载 | Infineon Technologies |
| 4 | SI2302DS-T1-GE3-VB | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):2.1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@4.5V,5A;... | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 5 | SMMBT4403LT1G | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@15... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 6 | SSM3K333R,LF(T | Mosfet, N-Ch, 30V, 6A, Sot-23F Rohs Compliant: Yes | 下载 | TOSHIBA CORPORATION |
| 7 | SM2326NSANC-TRG | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):830mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):70mΩ@4.5V,2.... | 下载 | Sinopower Semiconductor, Inc |
| 8 | SBC817-40LT1G | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@10... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 9 | SBC847CLT1G | | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 10 | ST2304 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):3.2A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,3... | 下载 | STANSON |
| 11 | ST2317S23RG | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):37mΩ@10V,5A; | 下载 | STANSON |
| 12 | ST1002 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):128mΩ@10V,3A; | 下载 | STANSON |
| 13 | S9012 | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@... | 下载 | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd |
| 14 | SMMBTA56LT3G | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 15 | SMMBTA06LT3G | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 16 | SBC807-16LT3G | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 17 | S9013 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发... | 下载 | YFW |
| 18 | S9014 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发... | 下载 | YFW |
| 19 | S9015 | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发... | 下载 | YFW |
| 20 | S8050 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发... | 下载 | YFW |
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