找到“115”相关的规格书共24,691个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| LB115S48K | SL Power | AC/DC CONVERTER 48V 75W | 获取价格 | ||
| ERJ-U06J115V | Panasonic Corporation | RES 1.1 M OHM 5% 1/8W 0805 SMD | 获取价格 | ||
| PZU3.9B1A,115 | NXP Semiconductors | 获取价格 | |||
| PUMB11,115 | Rubycon Corporation | 2 NPN - Pre-Biased 300mW 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors ROHS | 获取价格 | ||
| PUMD3,115 | Rubycon Corporation | 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased 300mW 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors ROHS | 获取价格 | ||
| PUMH11,115 | Rubycon Corporation | Pre Biased Triodes SOT363 Dual NPN VCEO=50V hFE=30 | 获取价格 | ||
| PUMB2,115 | Rubycon Corporation | 300mW 100mA 50V 2 PNP - Pre-Biased SOT-363 Digital Transistors ROHS | 获取价格 | ||
| PUMD6,115 | Rubycon Corporation | 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased 300mW 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors ROHS | 获取价格 | ||
| BSP52,115 | Rubycon Corporation | Darlington Triodes NPN Ic=1A Vceo=80V hfe=1000 P=1.25W SOT223 | 获取价格 | ||
| PZTA44,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):300mA;功率(Pd):1.35W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):750mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):50@10mA,10V;特征频率(fT):20MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCP69,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):650mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):85@500mA,1V;特征频率(fT):140MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCP54,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):650mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCX54,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V; | 获取价格 | ||
| BC868,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):85@500mA,1V; | 获取价格 | ||
| BSR43,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.35W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,5V; | 获取价格 | ||
| PXTA42,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):1.3W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@30mA,10V; | 获取价格 | ||
| PXT2222A,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):800mW;集电极截止电流(Icbo):10nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V;特征频率(fT):300MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PBSS8110D,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):700mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):150@250mA,10V; | 获取价格 | ||
| BAS521,115 | Rubycon Corporation | 反向恢复时间(trr):50ns;直流反向耐压(Vr):300V;二极管配置:-;平均整流电流(Io):250mA;正向压降(Vf):1.1V @ 100mA; | 获取价格 | ||
| BSP31,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.3W; | 获取价格 |
