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ARK14127SCFibox Enclosure SystemsFIBOX - ARK14127SC - ENCLOSURE, JUNCTION BOX, PC, GREY/CLEAR - Enclosure Type:Junction Box; Enclosure Material:Polycarbonate; External Height - Metric:178mm; External Width - Metric:305mm; External Depth - Metric:356mm; IP 51AC8433获取价格
HSP100N15HUASHUO SEMICONDUCTOR类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):178W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.3mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):100nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):5.88nF@75V;反向传输电容(Crss@Vds):9.5pF@75V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
JCS10N65ST-S-ARJilin Sino-Microelectronics Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):9.5A;功率(Pd):178W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):850mΩ@10V,4.75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):34nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.61nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):20pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
NCE1570WUXI NCE POWER CO., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):310W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):148.4nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):6.644nF@75V;反向传输电容(Crss@Vds):178pF@75V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);获取价格
ASDM30N75KQ-RAscend Frequency Devices类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):75A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.8mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):11.1nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.56nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):178pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);获取价格
BUK7Y1R7-40HXRubycon Corporation类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):294W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.35mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):56nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.095nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):178pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);获取价格