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| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| DTC143EE | T&C Technology | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):150mW;集电极电流(Ic):-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极截止电流(Icbo):-;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo):3V@20mA,0.3V;最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc):500mV@100uA,5V;输出电压(VO(on)@Io/Ii):300mV@10mA,0.5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@10mA,5V;输入电阻 | 获取价格 | ||
| DTC143EE | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):150mW;集电极电流(Ic):-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极截止电流(Icbo):-;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo):3V@20mA,0.3V;最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc):500mV@100uA,5V;输出电压(VO(on)@Io/Ii):300mV@10mA,0.5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@10mA,5V;输入电阻 | 获取价格 | ||
| PDTD113ZUX | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):425mW;集电极电流(Ic):-;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):100nA;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):100mV@50mA,2.5mA;最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo):800mV@20mA,0.3V;最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc):600mV@100uA,5V;输出电压(VO(on)@Io/Ii):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):70@50m | 获取价格 | ||
| DTA144EE | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 晶体管类型:1个PNP-预偏置;功率(Pd):150mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):100nA;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo):3V@2mA,0.3V;最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc):500mV@100uA,5V;输出电压(VO(on)@Io/Ii):300mV@10mA,0.5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA | 获取价格 |
