找到“425”相关的规格书共4,052个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
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| ANT-433-CW-RAH-SMA | Linx Technologies Inc. | 433MHz Whip, Right Angle RF Antenna 425MHz ~ 440MHz -5dBi Connector, SMA Female Connector Mount | 获取价格 | ||
| FQT4N20LTF | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):850mA;功率(Pd):2.2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.35Ω@10V,425mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA; | 获取价格 | ||
| BC817K-40HVL | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):425mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V; | 获取价格 | ||
| 0483255001 | MOLEX6[MolexElectronicsLtd.] | 0483255001 - 1.00mm (.039"), 1.27mm (.050") Pitch Slimline Serial ATA Receptacle, Right Angle,Reverse Type, Through Hole, Gold (Au) Flash Plating, Mounted Height: 10.80mm (.425"), with Cap and Screw - Molex Electronics Ltd. | 获取价格 | ||
| BC817K-25HR | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):425mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V; | 获取价格 | ||
| BC817K-16HVL | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):425mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V; | 获取价格 | ||
| QLUV04H3U | Quelighting Corporation | 紫外线（UV） 发射器 425nm（420nm ~ 430nm） 3.2V 700mA 365mW/sr @ 350mA（标准） 120° 1212（3030 公制） | 获取价格 | ||
| BC817K-16HR | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):425mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V; | 获取价格 | ||
| FQPF2N80YDTU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):1.5A;功率(Pd):35W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.9mΩ@10V,750mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):12nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):425pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):5.5pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC817K-25H,235 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):425mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PDTD113ZUX | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):425mW;集电极电流(Ic):-;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):100nA;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):100mV@50mA,2.5mA;最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo):800mV@20mA,0.3V;最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc):600mV@100uA,5V;输出电压(VO(on)@Io/Ii):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):70@50m | 获取价格 | ||
| PDTD114EUX | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):425mW;集电极电流(Ic):-;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):100nA;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):100mV@50mA,2.5mA;最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo):1.9V@20mA,0.3V;最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc):1V@100uA,5V;输出电压(VO(on)@Io/Ii):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V | 获取价格 |
