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HM4410-VBVBsemi Electronics Co. Ltd类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):13A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,13A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;获取价格
AO4410Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd.表面贴装型 N 通道 30 V 18A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOP获取价格
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IXBD4410SIIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC获取价格
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37FB4410Cornell Dubilier Electronics薄膜电容 DIP 10µF ±10% 73.81 x 48.41mm获取价格