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DS850-3ARTESYN EMBEDDEDFront End AC DC Converter 1 Output 12V 70A 90 ~ 264 VAC Input获取价格
475PHB850K2RIllinois Capacitor薄膜电容 径向 4.7µF ±10% 57.50 x 30.00mm获取价格
474PHC850KIllinois Capacitor薄膜电容 轴向 470nF ±10% Ф18.50 x 34.00mm获取价格
SLM-850Bivar Inc.LED MT SR VERT获取价格
NTM-850Bivar Inc.LED MT SR VERT X 0.850" 3/5MM 2L获取价格
405PHB850K2RIllinois Capacitor薄膜电容 径向 4µF ±10% 57.50 x 30.00mm获取价格
405PSB850K2RIllinois Capacitor薄膜电容 径向 4µF ±10% 57.50 x 35.00mm获取价格
C850-100-WHBourns Inc.获取价格
255PSB850K4RIllinois Capacitor薄膜电容 径向 2.5µF ±10% 57.50 x 35.00mm获取价格
224PHC850KIllinois Capacitor薄膜电容 轴向 220nF ±10% Ф37.00 x 55.00mm获取价格
205PSB850K2JIllinois Capacitor薄膜电容 径向 2µF ±10% 42.50 x 30.00mm获取价格
105PHB850K2JIllinois Capacitor薄膜电容 径向 1µF ±10% 42.50 x 17.00mm获取价格
T850H-6G-TRST8 A - 600 V - 150°C H系列三端双向可控硅获取价格
SFL850SGTFoshan Nanhai Sifirst Technologies Limited类型:-;通道数:-;输入电压:-;开关频率:-;输出电压:-;获取价格
EW-32-14-G-D-850Samtec Inc.CONN HDR 64POS 0.1 STACK T/H获取价格
FCU850N80ZMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;获取价格
C8051F850-C-IURMurata Manufacturing Co., Ltd.CPU内核:51系列;CPU最大主频:25MHz;工作电压范围:2.2V~3.6V;内部振荡器:有;外部时钟频率范围:-;程序 FLASH容量:8K@x8bit;RAM总容量:512Byte;EEPROM/数据 FLASH容量:-;GPIO端口数量:16;ADC(单元数/通道数/位数):1@x16ch/12bit;DAC(单元数/通道数/位数):-;(E)PWM(单元数/通道数/位数):-;8位Timer数量:-;16位Timer数量:-;32位Timer数量:-;内部比较器数量:-;U(S)ART路数:获取价格
C8051F850-C-GURMurata Manufacturing Co., Ltd.CPU内核:51系列;CPU最大主频:25MHz;程序存储容量:8KB;程序存储器类型:FLASH;RAM总容量:512Byte;GPIO端口数量:16;获取价格
FCP850N80ZMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):136W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):710mΩ@10V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@600uA;栅极电荷(Qg@Vgs):22nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):990pF@100V;反向传输电容(Crss@Vds):0.74pF@100V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
RN-850-3Essentra ComponentsCARD GUIDE NARROW NAT 8-1/2"获取价格