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| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| BC847DS,115 | Nexperia | 通用三极管 45V 100mA NPN+NPN SOT457 200~450 | 获取价格 | ||
| BC847BPN,125 | Nexperia | 通用三极管 45V 100mA NPN+PNP SOT363 200~450 | 获取价格 | ||
| BC 847BF E6327 | Infineon Technologies | TRANS NPN 45V 0.1A TSFP-3 | 获取价格 | ||
| BC847BU3T106 | Rohm Semiconductor | NPN GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL | 获取价格 | ||
| BC 847CW B6327 | Infineon Technologies | TRANS NPN 45V 0.1A SOT-323 | 获取价格 | ||
| BC847RAPNZ | Nexperia | 三极管 NPN，PCN Ic=100mA Vceo=45V hfe=200~450 P=325mW DFN412-6 | 获取价格 | ||
| BC847BS,115 | Nexperia | 通用三极管 45V 100mA NPN+NPN SOT363 200~450 | 获取价格 | ||
| BC847BT,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 45V 0.1A SOT416 | 获取价格 | ||
| BC847BDW1T1G | ON Semiconductor | 通用三极管 Dual NPN Ic=100mA Vceo=45V hfe=200~450 P=380mW SOT363 | 获取价格 | ||
| BC847BLT1G | ON Semiconductor | 通用三极管 NPN硅 VCEO=45V VEBO=6V IC=100mA SOT23 | 获取价格 | ||
| BC847BW,115 | Nexperia | 通用三极管 VCEO=45V IC=100mA NPN SOT323 HFE=110~800 | 获取价格 | ||
| BC847BW,135 | Nexperia | 通用三极管 VCEO=45V IC=100mA NPN SOT323 HFE=200~450 | 获取价格 | ||
| BC 847PN H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:1个NPN,1个PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 847S H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:1个NPN和1个PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 847PN H6727 | Infineon Technologies | 晶体管类型:1个NPN,1个PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 847C E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):330mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):520@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 847PN H6433 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 847S H6433 | Infineon Technologies | 晶体管类型:2个NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC847RAPNZ | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个NPN和1个PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):480mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC847DS,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:2个NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):380mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
