找到“BDW53D”相关的规格书共7,863个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| GW11048-1 | Gateworks corp | GATEWORKS - GW11048-1 - Computer Board, GW7200, i.MX8M Family, 64bit, ARM Cortex-A53 | 获取价格 | ||
| ERA2AEB53R6X | Panasonic Corporation | PANASONIC - ERA2AEB53R6X - SMD Chip Resistor, 53.6 ohm, ± 0.1%, 62.5 mW, 0402 [1005 Metric], Metal Film (Thin Film) | 获取价格 | ||
| AF52-30-00-41 | ABB Installation | ABB - AF52-30-00-41 - Contactor, 53 A, DIN Rail, 690 V, 3PST-NO, 3 Pole, 22 kW | 获取价格 | ||
| AF52-30-00-14 | ABB Installation | ABB - AF52-30-00-14 - Contactor, 53 A, DIN Rail, 690 V, 3PST-NO, 3 Pole, 22 kW | 获取价格 | ||
| A50-30-11-230V-50HZ | ABB Installation | ABB - A50-30-11-230V-50HZ - Contactor, 53 A, DIN Rail, 230 VAC, DPDT, 3 Pole, 22 kW | 获取价格 | ||
| RJE0605JPD-00-J3-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-25A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):53mΩ@-10V,-25A; | 获取价格 | ||
| EGPA800ELL561ML30S | Nippon Chemicon | 560 µF 80 V 铝电解电容器 径向，Can 53 毫欧 @ 100kHz 125°C 时为 5000 小时 | 获取价格 | ||
| EGPA630ELL821ML30S | Nippon Chemicon | 820 µF 63 V 铝电解电容器 径向，Can 53 毫欧 @ 100kHz 125°C 时为 5000 小时 | 获取价格 | ||
| ECO-S1CP153CA | Panasonic Corporation | 15000 µF 16 V 铝电解电容器 径向，Can - 卡入式 53 毫欧 @ 120Hz 85°C 时为 3000 小时 | 获取价格 | ||
| ECO-S1HA472EA | Panasonic Corporation | 4700 µF 50 V 铝电解电容器 径向，Can - 卡入式 53 毫欧 @ 120Hz 105°C 时为 3000 小时 | 获取价格 | ||
| ECO-S1HA472BA | Panasonic Corporation | 4700 µF 50 V 铝电解电容器 径向，Can - 卡入式 53 毫欧 @ 120Hz 105°C 时为 3000 小时 | 获取价格 | ||
| QBE025A0B1-P | ABB Installation | 非隔离 PoL 模块 直流转换器 1 输出 12V 25A 42V - 53V 输入 | 获取价格 | ||
| LXC150-1400SH | Advanced Monolithic Systems Inc. | 1.4A 53 ~ 107V 恒定电流 LED 驱动器 AC DC 转换器 拓扑 1 输出 | 获取价格 | ||
| HES192G350V4L | Cornell Dubilier Electronics | 1900 µF 350 V 铝电解电容器 径向，Can - 螺丝端子 53 毫欧 @ 120Hz 105°C 时为 1000 小时 | 获取价格 | ||
| CG102U075R3C | Cornell Dubilier Electronics | 1000 µF 75 V 铝电解电容器 径向，Can - 螺丝端子 53 毫欧 @ 120Hz 85°C 时为 2000 小时 | 获取价格 | ||
| RJK03E5DPA-00-J53 | RENESAS[RenesasTechnologyCorp] | RJK03E5DPA-00-J53 - Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching - Renesas Technology Corp | 获取价格 | ||
| RJK0380DPA-00-J53 | RENESAS[RenesasTechnologyCorp] | RJK0380DPA-00-J53 - Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching - Renesas Technology Corp | 获取价格 | ||
| EKMH630VNN472MQ50T | Nippon Chemicon | 4700 µF 63 V 铝电解电容器 径向，Can - 卡入式 53 毫欧 @ 120Hz 105°C 时为 2000 小时 | 获取价格 | ||
| ESMH630VNN472MA25T | Nippon Chemicon | 4700 µF 63 V 铝电解电容器 径向，Can - 卡入式 53 毫欧 @ 120Hz 85°C 时为 2000 小时 | 获取价格 | ||
| EKMH800VSN472MR50T | Nippon Chemicon | 4700 µF 80 V 铝电解电容器 径向，Can - 卡入式 53 毫欧 @ 120Hz 105°C 时为 2000 小时 | 获取价格 |
