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ECQ-UAAF824MAPanasonic CorporationSuppression Cap, 0.82Uf, X2, 275V, Rad; Dielectric Type:metallized Pp; Capacitor Case / Package:radial Box - 2 Pin; Capacitance:0.82Μf; Capacitance Tolerance:± 20%; Suppression Class:x2; Capacitor Mounting:through Hole Rohs Compliant: Yes获取价格
BZX84W-C18FRubycon Corporation二极管配置:独立式;稳压值(标称值):-;稳压值(范围):16.8V~19.1V;精度:±5%;功率:275mW;反向电流(Ir):50nA@0.7V;阻抗(Zzt):10Ω;获取价格
BZX84W-C33XRubycon Corporation二极管配置:独立式;稳压值(标称值):-;稳压值(范围):31V~35V;精度:±5%;功率:275mW;反向电流(Ir):50nA@0.7V;阻抗(Zzt):35Ω;获取价格
BZX84W-C39FRubycon Corporation二极管配置:独立式;稳压值(标称值):-;稳压值(范围):37V~41V;精度:±5%;功率:275mW;反向电流(Ir):50nA@0.7V;阻抗(Zzt):40Ω;获取价格
BZX84W-B62FRubycon Corporation二极管配置:独立式;稳压值(标称值):-;稳压值(范围):60.8V~63.2V;精度:±2%;功率:275mW;反向电流(Ir):50nA@0.7V;阻抗(Zzt):80Ω;获取价格
BZX84W-B24XRubycon Corporation二极管配置:独立式;稳压值(标称值):-;稳压值(范围):23.5V~24.5V;精度:±2%;功率:275mW;反向电流(Ir):50nA@0.7V;阻抗(Zzt):25Ω;获取价格
5KP170A/BBrightking极性:单向;反向截止电压(Vrwm):170V;击穿电压:189V;反向漏电流(Ir):2uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:18.5A;最大钳位电压:275V;获取价格
P3100SASemiware Semiconductor Inc.反向截止电压(Vdrm):275V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):350V;维持电流(Ih):150mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):45A;断态电容(Co):30pF;获取价格
P3100SABrightking反向截止电压(Vdrm):275V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):350V;维持电流(Ih):150mA;通态电压(Vt):40V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):45A;断态电容(Co):30pF;获取价格
P3100TASemiware Semiconductor Inc.反向截止电压(Vdrm):275V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):350V;维持电流(Ih):150mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):45A;断态电容(Co):50pF;获取价格
P3100SB-MSMason semiconductor反向截止电压(Vdrm):275V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):350V;维持电流(Ih):120mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):80A;断态电容(Co):52pF;获取价格
3SMC170CA TR13 PBFREECentral反向截止电压(Vrwm):170V;击穿电压(最小值):189V;击穿电压(最大值):-;反向漏电流(Ir):-;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:11A;最大钳位电压:275V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:3kW;获取价格
1SMC170A TR13 PBFREECentral极性:-;反向截止电压(Vrwm):170V;击穿电压(最小值):189V;击穿电压(最大值):-;反向漏电流(Ir):-;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:5.5A;最大钳位电压:275V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:1.5kW;获取价格
3SMC170A TR13 PBFREECentral反向截止电压(Vrwm):170V;击穿电压(最小值):189V;击穿电压(最大值):-;反向漏电流(Ir):-;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:11A;最大钳位电压:275V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:3kW;获取价格
P3100SC-MSMason semiconductor反向截止电压(Vdrm):275V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):350V;维持电流(Ih):120mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):100A;断态电容(Co):65pF;获取价格
PBSS4032NX,115Rubycon Corporation晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):4.7A;功率(Pd):600mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):240mV@5.4A,270mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):275@6A,2V;特征频率(fT):145MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
PMF250XNEXNexperia类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):1A 功率(Pd):275mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):212mΩ@4.5V,900mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):1.05nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):81pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds):8.5pF@15V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)获取价格
FQT2P25TFMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:P沟道;漏源电压(Vdss):250V;连续漏极电流(Id):550mA;功率(Pd):2.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.15Ω@10V,275mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):6.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):190pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):6.5pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格