找到BR2相关的规格书共4,210
型号厂商描述数据手册替代料参考价格
BR24L32FVT-WE2Rohm SemiconductorBR24L32FVT-WE2是一款32Kbit I2C串行EEPROM,支持1.7V至5.5V的工作电压,具有高达1,000,000次的写周期寿命,数据保持时间为40年。该芯片适用于电池供电设备,具有低功耗和高可靠性。获取价格
BR24S32FVM-WTRRohm SemiconductorBR24S32FVM-WTR 是一款32Kbit I2C接口的串行EEPROM,具有完全符合世界标准I2C总线的特点。所有控制均可通过两个串行端口(SCL和SDA)完成,支持低功耗和高速传输。工作电压范围为1.7V到5.5V,适用于电池供电设备。支持高达1,000,000次的写入周期,数据保持时间为40年。获取价格
BR24S128FV-WE2Rohm SemiconductorBR24S128FV-WE2是一款128Kbit I2C接口的串行EEPROM,支持1.7V至5.5V的工作电压,具有高达1,000,000次的写周期寿命和40年的数据保持时间。该器件支持页写模式,适用于工厂初始值写入。低功耗设计,待机电流仅为0.1uA。支持噪声过滤功能,内置写保护功能。获取价格
BR24S128FVT-WE2Rohm SemiconductorBR24S128FVT-WE2 是一款符合世界标准 I2C 总线接口的 128K 位串行 EEPROM。它支持 1.7V 到 5.5V 的单电源供电,具有高达 400kHz 的快速模式,适用于电池供电设备。该器件支持页面写入模式,可进行多达 1,000,000 次的数据重写,并保证数据保存 40 年。获取价格
BR24L04NUX-WTRRohm SemiconductorBR24L04NUX-WTR是一款具有I2C接口的4K位EEPROM,支持1.8V到5.5V的工作电压范围,适用于电池供电设备。它具有页写模式,适合初始值写入,数据可重写高达1,000,000次,数据保持时间为40年。获取价格
BR24S16FVT-WE2Rohm SemiconductorIC EEPROM 16K I2C 400KHZ 8TSSOP获取价格
BR24S16FVJ-WE2Rohm SemiconductorIC EEPROM 16KBIT I2C 8TSSOP获取价格
BR24S08FVM-WTRRohm SemiconductorIC EEPROM 8K I2C 400KHZ 8MSOP获取价格
BR24L02FVT-WE2Rohm Semiconductor获取价格
BR24L02FVM-WTRRohm Semiconductor获取价格
BR24C16A-10TU-1.8Rohm SemiconductorIC EEPROM 16KBIT I2C 8TSSOP获取价格
BR24C04-10TU-2.7Rohm SemiconductorIC EEPROM 4KBIT I2C 8TSSOP获取价格
BR24C02-10TU-2.7Rohm SemiconductorIC EEPROM 2KBIT I2C 8TSSOP获取价格
BR25640N-10SU-2.7Rohm SemiconductorIC EEPROM 64KBIT SPI 3MHZ 8SOIC获取价格
BR24G512FJ-3AGTE2Rohm SemiconductorIC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8SOPJ获取价格
BR25160-10TU-1.8Rohm SemiconductorIC EEPROM 16KBIT SPI 3MHZ 8TSSOP获取价格
BR25L080FV-WE2Rohm SemiconductorIC EEPROM 8KBIT SPI 5MHZ 8SSOPB获取价格
BR25160N-10SU-2.7Rohm SemiconductorIC EEPROM 16KBIT SPI 3MHZ 8SOIC获取价格
BR25080-10TU-2.7Rohm SemiconductorIC EEPROM 8KBIT SPI 3MHZ 8TSSOP获取价格
BR25080N-10SU-1.8Rohm SemiconductorIC EEPROM 8KBIT SPI 3MHZ 8SOIC获取价格